具有放电过流保护后自恢复功能的电池保护电路制造技术

技术编号:8454493 阅读:471 留言:0更新日期:2013-03-21 23:14
本发明专利技术提供一种电池保护电路,其包括控制电路和串联在电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电通路,该放电通路上包括开关器件、二极管和电阻R0,在进入放电过流保护状态后,所述控制电路控制所述开关器件导通以使电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电通路导通,所述控制电路根据电池负极连接端的电压确定是否退出放电过流保护状态,在确定退出放电过流保护状态后,所述控制电路控制所述开关器件截止以使得电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电通路截止。与现有技术相比,本发明专利技术在电池保护电路中增加了放电过流恢复电路,其可以自动从放电过流保护状态下恢复出来,并且结构简单,成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路设计领域,特别涉及一种具有放电过流保护后自恢复功能的电池保护电路
技术介绍
图I示出了一种电池保护电路系统的结构示意图。如图I所示,所述电池保护电路系统包括电池电芯Bat、电阻R1、电容Cl、电池保护电路110、电阻R2、充电功率开关130和放电功率开关120。电阻Rl和电容Cl串联于电池电芯Bat的正极B+和负极B-之间,放电功率开关120和充电功率开关130串联于电池电芯的负极B-和电池的负极P-之间,电池电芯Bat的正极B+直接与电池的正极P+相连。所述充电功率开关130 包括 NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor)场效应晶体管MN2和寄生于其体内的二极管D2。所述放电功率开关120包括NMOS场效应晶体管丽I和寄生于其体内的二极管Dl。NMOS晶体管丽I的漏极和NMOS晶体管丽2的漏极相连,NMOS晶体管丽I的源极与电池电芯的负极B-相连,NMOS晶体管丽2的源极与电池的负极P-相连。所述电池保护电路110包括三个连接端(或称为检测端)和两个控制端,三个连接端分别为电池电芯正极B+连接端VDD,电池电芯负极B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电池保护电路,其包括与电池负极连接的电池负极连接端、与电池电芯负极连接的电池电芯负极连接端、与放电功率开关的控制端连接的放电控制端和与充电功率开关的控制端连接的充电控制端,其特征在于,其还包括控制电路和串联在电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电通路,该放电通路上包括开关器件、二极管和电阻R0,在进入放电过流保护状态后,所述控制电路控制所述开关器件导通以使电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电通路导通,所述控制电路根据电池负极连接端的电压确定是否退出放电过流保护状态,在确定退出放电过流保护状态后,所述控制电路控制所述开关器件截止以使得电池负极连接端和电池电芯负极连接端之间的放电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹航田文博李展王钊
申请(专利权)人:无锡中星微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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