本实用新型专利技术涉及基于功率开关管的智能终端充电电路，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的输出分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管M1的漏极相连，PMOS管M1的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，源极与电源管理芯片的VPH_PWR引脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR，设有二极管D1，二极管D1的正极与PMOS管M1的漏极相连，二极管D1的负极与PMOS管M1的源极相连。本实用新型专利技术通过BATFET_N引脚的电平高低来控制PMOS管M1的断开与闭合，进而控制充电与供电状态，控制方便，且能实现占空比的调节及降压处理。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及基于功率开关管的智能终端充电电路，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的输出分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管M1的漏极相连，PMOS管M1的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，源极与电源管理芯片的VPH_PWR引脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR，设有二极管D1，二极管D1的正极与PMOS管M1的漏极相连，二极管D1的负极与PMOS管M1的源极相连。本技术通过BATFET_N引脚的电平高低来控制PMOS管M1的断开与闭合，进而控制充电与供电状态，控制方便，且能实现占空比的调节及降压处理。【专利说明】基于功率开关管的智能终端充电电路
本技术涉及一种基于功率开关管的智能终端充电电路。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，智能手机已经完全成为了手机的主角。随着智能手机的性能不断的提高，用户操作的时间也越来越长，这直接使得智能手机的电池不耐用。充电管理是手机、电脑等终端设备中必不可少的部分，好的充电电路不仅可以延长充电电池的使用寿命，且能提高终端设备的可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于功率开关管的智能终端充电电路，它通过电源管理芯片BATFET_N$脚的电平高低来控制PMOS管的断开与闭合，进而控制充电与供电状态，控制方便，且能实现占空比的调节及降压处理，能有效防止内部供电电池通过PMOS管的内部寄生二极管倒灌电流。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:基于功率开关管的智能终端充电电路，它包括电源管理芯片、PMOS管Ml、二极管D1、内部供电电池和外部充电设备，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的供电输出端分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管Ml的漏极相连，PMOS管Ml的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，PMOS管Ml的源极与电源管理芯片的VPH_PWR引脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR, PMOS管Ml还并联一个二极管Dl，二极管Dl的正极与PMOS管Ml的漏极相连，二极管Dl的负极与PMOS管Ml的源极相连。进一步的，该智能终端充电电路还包括电容Cl和电容C2，电源管理芯片的VPH_PWR引脚通过电容Cl接地，电源管理芯片的VBAT引脚通过电容C2接地。本技术的有益效果是:将PMOS管Ml连接电源管理芯片的BATFET_N引脚，通过电源管理芯片BATFET_N$脚的电平高低来控制PMOS管Ml的断开与闭合，进而控制充电与供电状态，控制方便，且能实现占空比的调节及降压处理；设有二极管D1，能有效防止内部供电电池通过PMOS管Ml的内部寄生二极管倒灌电流。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，基于功率开关管的智能终端充电电路，它包括电源管理芯片(PM8029)、PM0S管Ml、二极管Dl、内部供电电池和外部充电设备，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的供电输出端分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管Ml的漏极相连，PMOS管Ml的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，PMOS管Ml的源极与电源管理芯片的VPH_PWR弓丨脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR，PMOS管Ml还并联一个二极管Dl，二极管Dl的正极与PMOS管Ml的漏极相连，二极管Dl的负极与PMOS管Ml的源极相连。进一步的，该智能终端充电电路还包括电容Cl和电容C2，电源管理芯片的VPH_PWR引脚通过电容Cl接地，电源管理芯片的VBAT引脚通过电容C2接地。本技术的工作原理如下:电源管理芯片的BATFET_N引脚低电平有效，当BATFET_N引脚为低电平时，控制PMOS管Ml导通，当BATFET_N引脚为高电平时，控制PMOS管Ml断开。当未检测到充电电压时，BATFET_N$脚为高电平，PMOS管Ml断开，内部供电电池通过二极管Dl将电流输出到VPH_PWR网络，实现系统供电。当检查到有充电电压时，BATFET_N引脚为低电平，PMOS管Ml导通，这时外部充电设备就给VPH_PWR供电同时给内部供电电池充电并控制充电电压电流，电源管理芯片的VBAT引脚检测PMOS管Ml漏极电压，反馈闭环控制BATFET_N占空比，当电压过高时，减小占空比，当电压欠压时，增大占空比。【权利要求】1.基于功率开关管的智能终端充电电路，其特征在于:它包括电源管理芯片、PMOS管Ml、二极管D1、内部供电电池和外部充电设备，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的供电输出端分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管Ml的漏极相连，PMOS管Ml的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，PMOS管Ml的源极与电源管理芯片的VPH_PWR引脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR，PMOS管Ml还并联一个二极管D1，二极管Dl的正极与PMOS管Ml的漏极相连，二极管Dl的负极与PMOS管Ml的源极相连。2.根据权利要求1所述的基于功率开关管的智能终端充电电路，其特征在于:它还包括电容Cl和电容C2，电源管理芯片的VPH_PWR引脚通过电容Cl接地，电源管理芯片的VBAT引脚通过电容C2接地。【文档编号】H02J7/00GK203416010SQ201320412543【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年7月12日 优先权日:2013年7月12日 【专利技术者】黎显图 申请人:沈阳华立德电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
基于功率开关管的智能终端充电电路，其特征在于：它包括电源管理芯片、PMOS管M1、二极管D1、内部供电电池和外部充电设备，外部充电设备与内部供电电池相连，内部供电电池的供电输出端分别与电源管理芯片的VBAT引脚和PMOS管M1的漏极相连，PMOS管M1的栅极与电源管理芯片的BATFET_N引脚相连，PMOS管M1的源极与电源管理芯片的VPH_PWR引脚相连并输出为外部电路供电的电压VPH_PWR，PMOS管M1还并联一个二极管D1，二极管D1的正极与PMOS管M1的漏极相连，二极管D1的负极与PMOS管M1的源极相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黎显图，
申请(专利权)人：沈阳华立德电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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