一种用于平面EMI滤波器的平面集成EMI扼流圈制造技术

技术编号:8453906 阅读:190 留言:0更新日期:2013-03-21 21:43
本发明专利技术涉及一种用于平面EMI滤波器的平面集成EMI扼流圈,由一对EDT磁芯、一对I型磁芯两两相对组成的外磁环,以及设置在所述EDT磁芯与I型磁芯之间的内磁环;其中所述内磁环包括彼此相对设置、且两端均为对称环形的两个PCB板,PCB板的基板两端的环形部均设置有环形通孔,在每个EDT磁芯的内壁上分别设置有一个突出件,该突出件依次贯穿于与其相对的两个PCB板上的环形通孔。本发明专利技术用两个磁导率不同的磁芯实现了差模电感与共模电感的集成,并且实现了差、共模电感的独立调节,有效增大差模电感的同时不影响共模电感特性,所需元件较分立的也少,加工简单。该集成结构阻抗对称性较分立的也占优势,有效防止差、共模噪声的转换,滤波效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于平面EMI滤波器的平面集成EMI扼流圈
技术介绍
目前电力电子系统内电磁干扰以传导干扰为主,EMI滤波器是抑制该类干扰的有效手段。差模和共模扼流圈是占用整个EMI滤波器体积以及重量最大的元部件,扼流圈的集成是符合电力电子系统小型化、集成化的发展趋势。通过查阅相关文献我们发现,分立元件扼流圈的集成主要分为两种一是辽宁工程科技大学的杨玉岗教授提出的选用一高磁导率大磁环外加两个低磁导率小磁环的扼流圈集成方式,差模激励下,大磁环磁芯内磁通相互抵消,小磁环为磁通提供通路增大了差模电感;共模激励下,由于小磁环磁导率较低,主磁通在大磁环内相互加强,产生较大的共模电感,但该集成结构仍需要三个环形磁芯,相对于分立的并无减少,且磁芯窗口利用率太低;二是CPES采用一种新型绕制方法,仅用两个磁导率不同的磁芯便实现了扼流圈集成,差、共模电感可独立调节,但绕法复杂,寄生容也明显增大。弗吉尼亚理工大学的Rengang Chen针对平面型滤波器提出了一种扼流圈平面磁集成结构,并利用共模电感的漏感实现差模电感,漏感层的插入可增大差模电感,但同时也减弱了共模电感,且差模电感不易调节。专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于平面EMI滤波器的平面集成EMI扼流圈,其特征在于:包括由一对EDT磁芯、一对I型磁芯两两相对组成的外磁环,以及设置在所述EDT磁芯与I型磁芯之间的内磁环;其中所述内磁环包括彼此相对设置、且两端均为对称环形的第一、第二PCB板,所述第一、第二PCB板均由基板、覆盖在基板上的线圈组成,且第一、第二PCB板的基板两端的环形部均设置有环形通孔;在每个EDT磁芯的内壁上分别设置有一个突出件,该突出件依次贯穿于与其相对的第一、第二PCB板上的环形通孔;其中,所述第一PCB板(203)的基板上覆盖的线圈是分别沿第一PCB板两端的两个环形通孔的圆周螺旋绕置,形成双环形螺旋线圈(207);其线圈具有第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王世山徐晨琛
申请(专利权)人:南京航空航天大学
类型:发明
国别省市:

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