一种半导电防水电缆制造技术

本发明专利技术提出了一种半导电防水电缆，从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层，第二半导电层为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%，缓冲膨胀层的厚度为0.2-4mm，该半导电防水电缆具有良好的防水性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电缆
，尤其涉及一种半导电防水电缆。
技术介绍
在电力传输电缆中，半导电电缆的应用非常广泛，一般地，在半导电电缆的导体的外部设有内、外两个半导电层以及位于两个半导电层之间的绝缘层组成。在实际应用中，半导电电缆一般暴露在室外环境中，因此，要求半导电电缆具有良好的防水性能。现有技术中，为了解决半导电电缆的防水问题，一般在电缆的外层设有金属屏蔽层，采用金属薄片并焊接形成电缆的防水结构。但是，在半导电电缆的生产、安装和实际使用过程中，金属屏蔽层常常会出现裂缝或穿孔，从而外界环境中的湿气或水会渗透到电缆内部，破换电缆的绝缘。因此，提供一种半导电防水电缆，其具有良好的防水性能，是现有技术中需要解决的技 术问题。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提出了一种半导电防水电缆，其具有良好的防水性能。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案一种半导电防水电缆，从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层，第二半导电层为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%，缓冲膨胀层的厚度为0. 2_4mm。在优选实施例中，聚合材料为烯烃聚合物或乙烯基共聚物或丙烯共聚物。在优选实施例中，所述聚合材料中掺有碳黑。在优选实施例中，碳黑的重量百分比为2%_60%。在优选实施例中，聚合材料中水溶膨胀物质为平均粒径为10-200微米的粉末。在优选实施例中，水溶膨胀物质的重量百分比为55%_70%。在优选实施例中，聚合材料中水溶膨胀物质为聚合链上具有亲水基团的共聚物。在优选实施例中，水溶膨胀物质的重量百分比为15%_50%。基于以上技术方案的公开，本专利技术具备如下有益效果本专利技术提出的半导电防水电缆中，在金属屏蔽层与第二半导电层之间设有缓冲膨胀层，缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，当外界环境中的湿气或水进入金属屏蔽层之后，该缓冲膨胀层中的水溶膨胀物质能够膨胀，从而有效地阻止湿气或水分进入电缆内部，具有良好的防水性能。附图说明图I是现有技术中一种半导电防水电缆的剖面结构示意图。具体实施例方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案如图I所示，为本专利技术提出的一种半导电防水电缆的剖面结构示意图。参考附图，本专利技术提出的一种半导电防水电缆，包括导体I、第一半导电层2、绝缘层3、第二半导电层4、缓冲膨胀层5、金属屏蔽层6和外保护层7，其中，导体由多根导线绞合而成，在导体外周包裹第一半导电层2，在第一半导电外周包裹绝缘层3，在绝缘层3外周包裹第二半导电层4，在第二半导电体层外周包裹缓冲膨胀层5，在缓冲膨胀层5外周包裹金属屏蔽层6，在金属屏蔽层6外周包裹外保护层7 ;其中，第二半导电层4为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层5为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层5的膨胀度为10%-300%，缓冲膨胀层5的厚度为0. 2-4mm。在优选实施例中，上述缓冲膨胀层中，其聚合材料为烯烃聚合物或乙烯基共聚物 或丙烯共聚物，并且在聚合材料中掺有碳黑，碳黑的重量百分比为2%-60%。在优选实施例中，上述聚合材料中，水溶膨胀物质为平均粒径为10-200微米的粉末，优选其平均粒径为50-150微米，并且，水溶膨胀物质的重量百分比为55%-70%。在优选实施例中，上述聚合材料中，水溶膨胀物质为聚合链上具有亲水基团的共聚物，其亲水效果优秀，其水溶膨胀物质的重量百分比为15% -50%。本专利技术中，在半导电防水电缆的在金属屏蔽层与第二半导电层之间设有缓冲膨胀层，缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，当外界环境中的湿气或水进入金属屏蔽层之后，该缓冲膨胀层中的水溶膨胀物质能够膨胀，从而有效地阻止湿气或水分进入电缆内部，具有良好的防水性能。上面结合附图对本专利技术进行了示例性的描述，显然本专利技术的实现并不受上述方式的限制，只要采用了专利技术的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将专利技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本专利技术的保护范围内。权利要求1.一种半导电防水电缆，其特征在于，从内到外依次为导体(I)、第一半导电层(2)、绝缘层(3)、第二半导电层(4)、缓冲膨胀层(5)、金属屏蔽层(6)和外保护层(7)，第二半导电层(4)为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层(5)为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层(5)的膨胀度为10%-300%，缓冲膨胀层(5)的厚度为0. 2-4mm。2.根据权利要求I所述的半导电防水电缆，其特征在于，聚合材料为烯烃聚合物或乙烯基共聚物或丙烯共聚物。3.根据权利要求2所述的半导电防水电缆，其特征在于，所述聚合材料中掺有碳黑。4.根据权利要求3所述的半导电防水电缆，其特征在于，碳黑的重量百分比为2%-60%。5.根据权利要求I至4中任一项所述的半导电防水电缆，其特征在于，聚合材料中水溶膨胀物质为平均粒径为10-200微米的粉末。6.根据权利要求5所述的半导电防水电缆，其特征在于，水溶膨胀物质的重量百分比为 55%-70%。7.根据权利要求I至4中任一项所述的半导电防水电缆，其特征在于，聚合材料中水溶膨胀物质为聚合链上具有亲水基团的共聚物。8.根据权利要求7所述的半导电防水电缆，其特征在于，水溶膨胀物质的重量百分比为 15%-50%。全文摘要本专利技术提出了一种半导电防水电缆，从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层，第二半导电层为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%，缓冲膨胀层的厚度为0.2-4mm，该半导电防水电缆具有良好的防水性能。文档编号H01B7/288GK102982878SQ201210486999公开日2013年3月20日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日专利技术者许义彬 申请人:晶锋集团股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导电防水电缆，其特征在于，从内到外依次为导体（1）、第一半导电层（2）、绝缘层（3）、第二半导电层（4）、缓冲膨胀层（5）、金属屏蔽层（6）和外保护层（7），第二半导电层（4）为密实结构的半导电层，缓冲膨胀层（5）为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成，缓冲膨胀层（5）的膨胀度为10%?300%，缓冲膨胀层（5）的厚度为0.2?4mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许义彬，
申请(专利权)人：晶锋集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：