一种半导电防水电缆制造技术

技术编号:8453816 阅读:201 留言:0更新日期:2013-03-21 21:23
本发明专利技术提出了一种半导电防水电缆,从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层,第二半导电层为密实结构的半导电层,缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成,缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%,缓冲膨胀层的厚度为0.2-4mm,该半导电防水电缆具有良好的防水性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电缆
,尤其涉及一种半导电防水电缆
技术介绍
在电力传输电缆中,半导电电缆的应用非常广泛,一般地,在半导电电缆的导体的外部设有内、外两个半导电层以及位于两个半导电层之间的绝缘层组成。在实际应用中,半导电电缆一般暴露在室外环境中,因此,要求半导电电缆具有良好的防水性能。现有技术中,为了解决半导电电缆的防水问题,一般在电缆的外层设有金属屏蔽层,采用金属薄片并焊接形成电缆的防水结构。但是,在半导电电缆的生产、安装和实际使用过程中,金属屏蔽层常常会出现裂缝或穿孔,从而外界环境中的湿气或水会渗透到电缆内部,破换电缆的绝缘。因此,提供一种半导电防水电缆,其具有良好的防水性能,是现有技术中需要解决的技 术问题。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术提出了一种半导电防水电缆,其具有良好的防水性能。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案一种半导电防水电缆,从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层,第二半导电层为密实结构的半导电层,缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成,缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%,缓冲膨胀层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导电防水电缆,其特征在于,从内到外依次为导体(1)、第一半导电层(2)、绝缘层(3)、第二半导电层(4)、缓冲膨胀层(5)、金属屏蔽层(6)和外保护层(7),第二半导电层(4)为密实结构的半导电层,缓冲膨胀层(5)为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成,缓冲膨胀层(5)的膨胀度为10%?300%,缓冲膨胀层(5)的厚度为0.2?4mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:许义彬
申请(专利权)人:晶锋集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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