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一种半导电防水电缆制造技术
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文档序号:8453816
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本发明提出了一种半导电防水电缆,从内到外依次为导体、第一半导电层、绝缘层、第二半导电层、缓冲膨胀层、金属屏蔽层和外保护层,第二半导电层为密实结构的半导电层,缓冲膨胀层为掺有水溶膨胀物质的聚合材料制成,缓冲膨胀层的膨胀度为10%-300%,缓...
该专利属于晶锋集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶锋集团股份有限公司授权不得商用。
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