【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid CrystalDisplay,以下简称TFT-LCD)具有重量轻，厚度薄和功耗低等优点，广泛应用于电视、手机和显示器等电子广品中。在现有的TFT-IXD中包括多种类型,其中，在高级超维场转换(Advanced superDimension Switch,以下简称ADS)型和平面转换(In-Plane Switching,以下简称IPS)型的TFT-LCD中，公共电极和公共电极线通常与栅极同层设置，且采用与栅极相同的金属材料制作，由于金属材料的透过率较低，因此导致像素单元的开口率较低，影响了液晶显示器的亮度。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种像素单元开口率大的。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，本专利技术提供一种阵列基板，包括TFT、栅线和数据线，所述栅线和数据线围设形成像素区域，所述像素区域形成有透明公共电极，所述TFT形成于所述透明公共电极上，所述TFT和透明公共电极之间形成有绝缘层。另一方面，本专利技术还提供一...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括薄膜晶体管、栅线和数据线，所述栅线和数据线围设形成多个像素单元，其特征在于，所述每个像素单元形成有透明公共电极，所述薄膜晶体管形成于所述透明公共电极上，所述薄膜晶体管和透明公共电极之间形成有绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郤玉生，林鸿涛，白金超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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