阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置，涉及液晶显示器领域，可以测量获得准确的条状电极的线宽。所述阵列基板包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置。
技术介绍
在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)制造业中，⑶(Critical Dimension，关键尺寸)的监控测量非常重要，其测量结果的准确性将影响到整个显示装置的性能。在ADS (Advanced-Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)型的阵列基板中，间隔分布的条状电极的线宽就是阵列基板的关键尺寸，将影响到显示装置的透过率等性能。在所述阵列基板上有一处线宽测量区，用于测量条状电极的线宽。但是，由于线宽测量区各条状电极分布界限模糊，一直存在条状电极线宽测量不到和测量准确性过差的问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置，可以测量获得准确的条状电极的线宽。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板，包括透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；其特征在于，还包括：设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；所述钝化层至少覆盖所述像素区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀，孙亮，丁向前，李梁梁，白金超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：