本发明专利技术公开了一种断线修补方法、断线修补装置和断线修补结构，其中，断线修补方法用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线，包括步骤：根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据所述修补路径确定需要形成填充部的位置；在所述需要形成填充部的位置形成填充部；沿所述修补路径形成修补线。本发明专利技术通过在断线修补镀膜前检测修补路径，并根据修补路径注入填充部，有效避免了因修补线下方位置高度差过大造成修补线断裂的情况发生，提高了断线修补成功率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到液晶显示领域，特别涉及到TFT阵列基板中的断线修补方法、断线修补装置及断线修补结构。
技术介绍
TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)是AM-IXD (Active Matrix IXD，有源矩阵类型液晶显示器)中的一种。它具有低功耗、轻薄易用、高亮度、高对比度、高响应速度、无辐射、等特点，目前已成为平板显示产业的主流技术之一。如图Ia和图Ib所示，目前在TFT-IXD制作过程中，阵列基板的信号线经常会发生断线缺陷，需要进行修补动作，修补时，用激光清除断线处两端的覆盖物，然后由镀线装置形成连接断线两端的修补线，从而使信号线导通，如图Ia所示。然而，由于此时阵列基板上已经形成其他的结构，使阵列基板的表面凹凸不平，修补线形成在凹凸不平的表面上，当修补线下方的高度差较大时，修补线可能会发生断裂，如图Ib所示，从而造成断线修补失败，进而影响液晶面板的良率，甚至造成液晶面板的报废。
技术实现思路
本专利技术的主要目的为提供一种提高断线修补成功率的断线修补方法、断线修补装置和断线修补结构。本专利技术提出一种断线修补方法，用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线，包括步骤根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据所述修补路径确定需要形成填充部的位置；在所述需要形成填充部的位置形成填充部；沿所述修补路径形成修补线。优选地，所述根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据该修补路径确定需要形成填充部的位置的步骤具体包括根据断路缺陷的位置设定修补路径，并检测所述修补路径；判断所述修补路径中相邻两位置之间的连线的倾斜角度是否在设定倾斜角度范围内；当所述相邻两位置之间的连线的倾斜角度在设定倾斜角度范围内时，获取所述相邻两位置，将所述相邻两位置之间确定为需要形成填充部的位置。优选地，所述检测所述修补路径的步骤具体包括采用白光干涉或激光聚焦方式对所述修补路径进行扫描，获得检测到的修补路径中各位置的坐标值；根据所述修补路径中各位置的坐标值，计算所述相邻两位置连线倾斜角度。4优选地，所述设定倾斜角度范围为30° 150°。优选地，所述根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据该修补路径确定需要形成填充部的位置的步骤具体包括根据断路缺陷的位置设定修补路径；确定修补路径中信号线的两侧为需要形成填充部的位置。本专利技术还提出一种断线修补装置，用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线，包括路径设定模块，用于根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据所述修补路径确定需要形成填充部的位置；填充模块，用于在所述需要形成填充部的位置形成填充部；镀线模块，用于沿所述修补路径形成修补线。优选地，所述路径设定模块具体包括检测单元，用于根据断路缺陷的位置设定修补路径，并检测所述修补路径；判断单元，用于判断所述修补路径中相邻两位置之间的连线的倾斜角度是否在设定倾斜角度范围内；位置确定单元，用于当所述相邻两位置之间的连线的倾斜角度在设定倾斜角度范围内时，获取所述相邻两位置，将所述相邻两位置之间确定为需要形成填充部的位置。优选地，所述检测单元进一步用于采用白光干涉或激光聚焦方式对所述修补路径进行扫描，获得检测到的修补路径中各位置的坐标值；根据所述修补路径中各位置的坐标值，计算所述相邻两位置连线的倾斜角度。本专利技术还提出一种断线修补结构，包括根据设定的修补路径形成的修补线和位于所述修补线下方的填充部，所述修补线用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线，所述填充部的形成位置根据设定的修补路径确定。优选地，所述填充部位于所述相邻两位置之间的连线的倾斜角度在设定倾斜角度范围内的位置。本专利技术通过在断线修补镀膜前检测修补路径，并根据修补路径注入填充部，有效避免了因修补线下方位置高度差过大造成修补线断裂的情况发生，提高了断线修补成功率。附图说明图Ia为现有技术中阵列基板的修补线的示意图；图Ib为现有技术中修补线发生断裂的示意图；图2为本专利技术断线修补方法的第一实施例流程图；图3为本专利技术断线修补方法中形成填充部的结构示意图；图4为本专利技术断线修补结构的示意图；图5为本专利技术断线修补方法的第二实施例流程图；图6为本专利技术修补路径的部分剖视图；图7为本专利技术修补路径中形成填充部的示意图8为本专利技术形成修补线的示意图；图9为本专利技术断线修补装置的结构示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施例方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图2所示，图2为本专利技术断线修补方法的第一实施例流程图，该断线修补方法用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线。本实施例断线修补方法包括步骤SI I，根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据该修补路径确定需要形成填充部的位置；在本步骤中，根据断路缺陷的位置预先设定修补线经过的路径，并根据该修补路径确定需要形成填充部的位置。在修补阵列基板的断线时，修补路径中相邻两位置之间若存在高度差，则会造成修补线断裂，因此存在高度差的两相邻位置即为需要形成填充部的位置。在阵列基板中，由于信号线的厚度较大，信号线的高度会远大于其两侧其他部分的高度，即在信号线与其相邻的位置之间都存在高度差，因此信号线的两侧即为需形成填充部的位置。步骤S12，在需要形成填充部的位置形成填充部；在本步骤中，请一并参照图3，图3为本专利技术断线修补方法中的形成填充部的结构示意图，根据步骤Sll中确定的需形成填充部的位置，即信号线21的两侧，在信号线21的两侧各形成一填充部22，使修补路径下方信号线21与其两侧之间平缓过渡，因此，在后续进行断线修补时，可有效避免因修补线下方的高度差较大时造成断线修补失败。填充部22的材料优选为绝缘材料，在将绝缘材料形成在信号线21的两侧后，还可通过一固化装置对其进行固化后形成所述填充部22，该固化制程可采取烘烤或者紫外光照射等方式，将填充部22固化之后，可有效防止填充部22在后续制程过程中脱落，从而提高填充部22的稳定性，有效进行后续的镀膜断线修补。步骤S13，沿修补路径形成修补线。在本步骤中，请一并参照图4，图4为本专利技术断线修补结构的示意图，在形成填充部22后的修补路径中镀上修补线23，修补线23下方不存在高度差较大的凹凸表面，有效避免了修补线断裂情况的发生，提高了断线修补良率。如图5所示，图5为本专利技术断线修补方法的第二实施例流程图，本实施例的断线修补方法包括步骤S21，根据断路缺陷的位置设定修补路径，并确定需要形成填充部的位置；在TFT制作过程中，常常会出现阵列断线的情况，需要进行断线修补。为了避免因修补路径中相邻两位置之间的高度差而造成修补失败，需根据设定的修补路径确定需要形成填充部的位置。请一并参阅图6,本步骤S21具体包括以下步骤步骤S211，根据断路缺陷的位置设定修补路径，并检测修补路径；根据断线的位置设定修补路径，如图6所示，其为修补路径的部分剖视图。可采用白光干涉方式或激光聚焦方式对修补路径进行扫描，获得修补路径中各位置的坐标值，如图6所示，在修补路径中水平方向等间距地选取若干个位置，A、B、C、D、E……P、Q，然后检测选取的位置的坐标值 A (xA, yA)、B (xB, yB)、C (xc, yc)、D (xD, 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种断线修补方法，用于修补阵列基板中存在断路缺陷的信号线，其特征在于，包括步骤：根据断路缺陷的位置设定修补路径，并根据所述修补路径确定需要形成填充部的位置；在所述需要形成填充部的位置形成填充部；沿所述修补路径形成修补线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑文达，吴础任，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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