本发明专利技术属植物栽培技术领域，涉及一种利用莫氏兰腋芽组织培养组培苗的快速繁殖方法，包括腋芽诱导过程、原球茎增殖过程、原球茎诱导丛生芽过程、壮苗培养过程、生根培养过程。本发明专利技术以莫氏兰腋芽组织为外植体，通过原球茎接分化快速繁殖莫氏兰种苗，提高莫氏兰种苗的繁殖速度和繁殖数量，建立了莫氏兰组培的快速繁殖体系，为莫氏兰种苗的大规模工厂化生产提供一条有效途径，具有较大的经济效益。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属植物栽培
，涉及一种植物生物技术中组培苗(试管苗)繁殖方法，具体涉及。
技术介绍
莫氏兰(Mokara)是由新加坡高级兰花育种家侯伟励用万代兰、鸟舌兰、蜘蛛兰三个属杂交出来的新型兰花。近十几年来莫氏兰以它独特的花姿，风靡世界各地，种植面积和市场需求逐年上涨，已上升为主要的兰花切花品种之一。目前，莫氏兰的繁殖方法主要采用传统的单茎切离繁殖方法，是取生长3 4年以上的莫氏兰植株，且植株健壮、根系健康发达，然后进行单茎切离，一个成株一次只可以切离I 2段，切离的小段植株要生长I 2 年才可以开花，产率低，耗时长，成本高，效率低。随着花卉产业的不断发展，人民生活水平的不断提高，花卉在日常生活中的需求量不断的增长，莫氏兰传统的单茎切离繁殖方法已不能满足生产的需要，植物组织培养成为了莫氏兰种苗快速繁殖的新途径。植物组织培养即植物无菌培养技术，又称离体培养，是利用植物体离体的器官(如根、茎、叶、茎尖、花、果实等)组织(如形成层、表皮、皮层、髓部细胞、胚乳等)或细胞(如大孢子、小孢子、体细胞等)以及原生质体，在无菌和适宜的人工培养基及光照、温度等人工条件下，能诱导出愈伤组织、不定芽、不定根，最后形成完整的植株的学科。目前国内对莫氏兰组织培养的研究报道很少，国外对于莫氏兰的研究多处于对其花的研究，对植株组织培养的报道也相对较少。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供，以莫氏兰腋芽为外植体，通过诱导腋芽产生原球茎，再由原球茎分化成丛生芽，最后形成具有根系的组培苗，有效地提高了莫氏兰工厂化育苗的繁殖效率，填补莫氏兰组织培养的技术空白，无论从数量上还是时间上，该繁殖方法要明显优于传统的单茎切离的繁殖方法，具有较高的商业价值。本专利技术是采用的技术方案，包括腋芽诱导过程、原球茎增殖过程、原球茎诱导丛生芽过程、壮苗培养过程、生根培养过程，其具体步骤如下I、腋芽诱导过程将经过消毒的腋芽接种于诱导培养基上进行培养，培养条件暗培养，温度23 270C ;培养至腋芽表面分化出原球茎。所述诱导培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁I 200ml/L、a_蔡乙酸O. 02 O. 5mg/L、6_节氛基嘿呤I 5mg/L、腺嘿呤O. 5 3mg/ L0所述基础培养基的成分和含量分别为①大量元素KN03450 1000mg/L、 KH2PO4150 250mg/L、(Ca) 3P04150 250mg/L、MgSO4 · 7H20200 370mg/L、(NH) 2S04350 800 mg/L ;②微量元素FeS04 · 7H2018. 5 27. 8mg/L、Na2_EDTA24. 86 37. 3mg/L、 MnSO4 ·Η207· 5 14. 8mg/L、ZnS04 ·7Η201 3. 2mg/L、H3B03l 2. 5mg/L ;③肌醇 I 250mg/ L ;④糖 I 20g/L ;⑤琼脂 4. 5 5. 5g/L ；pH 为 5· I 5· 4。2、原球茎增殖过程将原球茎接种于增殖培养基上进行增殖培养，培养条件暗培养，温度23 27°C ； 40 50d转移一次。所述增殖培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁I 200ml/L、 蛋白胨I 2. 00g/L、a-萘乙酸O. 02 O. 5mg/L、6_苄氨基嘌呤I 5mg/L、腺嘌呤O. 5 3mg/L。3、原球茎诱导丛生芽过程将增殖后的原球茎接种于丛生芽诱导培养基上进行丛生芽诱导培养，至分化形成小芽，培养条件光培养，光照强度为1000 2000LX，温度23 27°C。所述丛生芽诱导培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁I 200ml/L、蛋白胨I 2. 00g/L、香蕉10 100g/L、马铃薯 10 100g/Lo4、壮苗培养过程将丛生芽接种于壮苗培养基上进行壮苗培养，培养条件光培养，光照强度为 2000 3000Lx，温度26 29°C ;培养35 45d后，小芽长成3 5 cm高的小苗，植株健壮。所述壮苗培养基是在基础培养基的基础上添加香蕉10 100g/L、马铃薯10 IOOg/ L、活性炭I. O 2. 0g/L。5、生根培养过程将小苗转入到生根培养基中进行生根培养，培养条件光培养，光照强度为 2000 3000Lx，温度26 29°C;生根培养60d后，小苗基部产生大量的根系，形成完整的植株。所述生根培养基是在基础培养基的基础上添加香蕉10 100g/L、马铃薯10 IOOg/ L、a-萘乙酸 0. 02 0. 5mg/L、活性炭 I. O 2. 0g/L。按照常规组培苗移栽方法将生根苗进行炼苗、晾苗，然后移栽到大田进行种植。本专利技术以莫氏兰腋芽组织为外植体，通过原球茎接分化快速繁殖莫氏兰种苗，提高莫氏兰种苗的繁殖速度和繁殖数量，建立了莫氏兰组培的快速繁殖体系，为莫氏兰种苗的大规模工厂化生产提供一条有效途径，具有较大的经济效益。附图说明图I是腋芽诱导效果图。图2是原球茎诱导效果图。图3是丛生芽诱导效果图。图4是壮苗培养效果图。图5是生根培养效果图。具体实施方式下面结合实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的条件。4I、将基础培养基中大量元素成分、微量元素成分、铁盐成分和有机物成分分别按 20倍、200倍、200倍和100倍浓度配制成储备母液，生长调节剂6-苄氨基嘌呤、a_萘乙酸、 腺嘌呤分别配制成lmg/mL、0. 5mg/mL> lmg/mL的储备母液,保存于4°C的冰箱中。基础培养基pH值的调节主要用lmol/L稀盐酸、lmol/L氢氧化钠。2、利用常规的培养基配制方法，配制各阶段相应的培养基，其中基础培养基按如下配方配制①大量元素=KNO3525mg/L ；KH2PO4 250mg/L ； (Ca)3PO4 200 mg/L ；MgS04 · 7H20 250 mg/L ； (NH) 2S04 5 00mg/L ;②微量元素:FeSO4 · 7H20 27. Omg/L ；Na2-EDTA 37. 0 mg/L ； MnSO4 .H2O 10. Omg/L ；ZnSO4 *7H201. Omg/L ；H3BO31. Omg/L ;③肌醇 lOOmg/L ;④糖 lOg/L ； 琼脂粉5. Og/L ;pH调节为5.2。实施例一I、腋芽诱导截取莫氏兰茎顶端30 cm，剥除所有叶片露出茎部，取各节上的腋芽作为外植体，用75%的酒精消毒30 S，用水冲洗I 2次，在用2%次氯酸钠溶液消毒15 min, 用水冲洗3 4次,最后用2%次氯酸钠溶液消毒3 min,用水冲洗3 4次,整个消毒过程中间歇摇动三角瓶，这样会使外植体充分接触消毒液，从而达到更好的消毒效果。将消毒好的茎段切成4cm且中部至少有2个腋芽的茎段，然后将茎段上的腋芽小心摘出，不要破损生长点，接种到诱导培养基上进行培养，每瓶培养基接种2个腋芽，经过15 d左右的诱导培养，腋芽开始膨大，培养30 d左右腋芽膨大明显，有芽点逐渐形成突起，在45 d后膨大的腋芽萌动长成小芽，腋芽四周发生脱分化，其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用莫氏兰腋芽组织培养组培苗的快速繁殖方法，包括腋芽诱导过程、原球茎增殖过程、原球茎诱导丛生芽过程、壮苗培养过程、生根培养过程，其具体步骤如下：1）、腋芽诱导过程将经过消毒的腋芽接种于诱导培养基上进行培养，培养条件：暗培养，温度23～27℃；培养至腋芽表面分化出原球茎；所述诱导培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁1～200ml/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、6?苄氨基嘌呤1～5mg/L、腺嘌呤0.5～3mg/L；所述基础培养基的成分和含量分别为：①大量元素：KNO3450～1000mg/L、KH2PO4150～250mg/L、(Ca)3PO4150～250mg/L、MgSO4·7H2O200～370mg/L、(NH)2SO4350～800?mg/L；②微量元素：FeSO4·7H2O18.5～27.8mg/L、Na2?EDTA24.86～37.3mg/L、MnSO4·H2O7.5～14.8mg/L、ZnSO4?·7H2O1～3.2mg/L、H3BO31～2.5mg/L；③肌醇1～250mg/L；④糖1～20g/L；⑤琼脂4.5～5.5g/L；pH为5.1～5.4；2）、原球茎增殖过程将原球茎接种于增殖培养基上进行增殖培养，培养条件：暗培养，温度23～27℃；40～50d转移一次；所述增殖培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁1～200ml/L、蛋白胨1～2.00g/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、6?苄氨基嘌呤1～5mg/L、腺嘌呤0.5～3mg/L；3）、原球茎诱导丛生芽过程将增殖后的原球茎接种于丛生芽诱导培养基上进行丛生芽诱导培养，至分化形成小芽，培养条件：光培养，光照强度为1000～2000Lx，温度23～27℃；所述丛生芽诱导培养基是在基础培养基的基础上添加椰子汁1～200ml/L、蛋白胨1～2.00g/L、香蕉10～100g/L、马铃薯10～100g/L；4）、壮苗培养过程将丛生芽接种于壮苗培养基上进行壮苗培养，培养条件：光培养，光照强度为2000～3000Lx，温度26～29℃；培养35～45d后，小芽长成3～5?cm高的小苗；所述壮苗培养基是在基础培养基的基础上添加香蕉10～100g/L、马铃薯10～100g/L、活性炭1.0～2.0g/L；5）、生根培养过程将小苗转入到生根培养基中进行生根培养，培养条件：光培养，光照强度为2000～3000Lx，温度26～29℃；生根培养60d后，小苗基部产生大量的根系，形成完整的植株；所述生根培养基是在基础培养基的基础上添加香蕉10～100g/L、马铃薯10～100g/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、活性炭1.0～2.0g/L。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刑孔惠，孙崇格，
申请(专利权)人：三亚柏盈热带兰花产业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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