【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体开关
，特别涉及一种基于薄膜电容的高压变频器功率单元。
技术介绍
功率单元的电路拓扑结构图示于附图I。外部三相的交流供电经由二极管整流器，变为直流进入功率单元，并对电容器组进行充电，实现稳压，稳压之后所得的直流电压提供给由IGBT组成的单相H形桥式逆变电路，逆变成为给定频率的输出电压，再用于同其它功率单元的串联输出。传统的电容组串联方案，电路的复杂，故障点较多，制造成本高。
技术实现思路
本技术是针对以上不足，提供一种电路简单，故障少，成本较低的功率单元串联多电平变频器而设计的一款卧式安装的功率单元，其特点在于采用薄膜电容作为直流稳压环节，避免电容组的串联和均压电阻的使用；采用层叠母线，以减小电路中杂散电感的对IGBT功率模块的影响。
技术实现思路
鉴于此，本技术设计了一款功率单元卧式安装的高压变频器单元柜柜体结构。本技术解决其技术问题采用的技术方案如下—种基于薄膜电容的高压变频器功率单元，包括，散热器、整流二极管、整流母线、输入功率端子、壳体、薄膜电容、母线、母线绝缘板、旁路母线、旁路可控硅、IGBT功率模块以及输出功率端子，其中，整流二极管、旁路可控...
【技术保护点】
一种基于薄膜电容的高压变频器功率单元，包括，散热器(1)、整流二极管(2)、整流母线(3)、输入功率端子(4)、壳体(5)、薄膜电容(6)、母线(7)、母线绝缘板(8)、旁路母线(9)、旁路可控硅(10)、IGBT功率模块(11)以及输出功率端子(12)，其特征在于，所述的整流二极管(2)、旁路可控硅(10)和IGBT功率模块(11)都安装于散热器(1)上，放置于散热器(1)左侧的薄膜电容(6)通过母线(7)进行并联，母线绝缘板(8)隔在母线(7)之间，起到绝缘的作用，母线(7)另一侧连接于IGBT功率模块(11)的输入端，同时通过整流母线(3)与整流二极管(2)保持电气连...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：绳伟辉，马永述，王鹏，黄林波，邵长宏，干永革，
申请(专利权)人：中冶赛迪电气技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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