【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种斜面单层陶瓷电容器，用于在电路中进行耦合、滤波和隔直。
技术介绍
目前，业界大量使 用的单层陶瓷电容器，其基本结构是陶瓷面与电极面垂直，如公开号为CN 1601673. A的专利公开的便是一种陶瓷面与电极面垂直的单层陶瓷电容器。由于陶瓷面很薄，一般只有0. 076-0. 254mm,因此，在进行装配的时候，导电浆料或焊膏很容易溢过陶瓷层高度，外翻与上电极面连接，从而导致电容器短路，显然，传统的陶瓷面与电极面垂直的单层陶瓷电容器在装配时容易导致电容器短路已是不争的事实，因此有必要改进。
技术实现思路
本技术解决的技术问题提供一种斜面单层陶瓷电容器，可有效避免或预防单层陶瓷电容器在装配过程中发生的电容器短路问题。本技术采用的技术方案一种斜面单层陶瓷电容器，具有陶瓷介质层以及附着于陶瓷介质层上端面的上电极层和其下端面的下电极层，所述上电极层的面积小于下电极层的面积。其中，所述陶瓷介质层的边缘线与上电极层和下电极层的边缘线呈一条斜线，且陶瓷介质层的端面与上电极层和下电极层之间的夹角为0-90°。进一步地，所述陶瓷介质层的上端面与上电极层之间的夹角和陶瓷介质层的下端...
【技术保护点】
一种斜面单层陶瓷电容器，具有陶瓷介质层（1）以及附着于陶瓷介质层（1）上端面的上电极层（2）和其下端面的下电极层（3），其特征在于：所述上电极层（2）的面积小于下电极层（3）的面积。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨俊锋，庄严，庄彤，冯毅龙，王华洋，
申请(专利权)人：广州天极电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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