形成背接触太阳能电池触点的方法技术

本发明专利技术描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例属于可再生能源领域，具体地讲是。
技术介绍
光伏电池通常称为太阳能电池，是熟知的用于将太阳辐射直接转化成电能的装置。通常在半导体晶片或基板上用半导体加工技术在基板表面附近形成p-n结来制造太阳能电池。冲击在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基底中的P掺杂区域和η掺杂区域，从而在掺杂区域之间产生电压差。将 掺杂区域连接到太阳能电池上的导电区域，以将电流从电池引导至与其耦合的外部电路。附图说明图I示出了根据本专利技术实施例的中的操作流程图。图2Α示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图I流程图的操作102和图3流程图的操作302相对应。图2Β示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图I流程图的操作104和图3流程图的操作304相对应。图2C示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该阶段与图I流程图的操作106和图3流程图的操作306相对应。图2D示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池制造中的一个阶段的剖视图，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：简·曼宁，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：
国别省市：