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本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层...
该专利属于太阳能公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳能公司授权不得商用。

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