低熔点玻璃组合物及使用其的导电性糊剂材料制造技术

提供一种用于无铅导电性糊剂材料的低熔点玻璃组合物，在晶体硅太阳能电池用的导电性糊剂中所述糊剂材料可得到高集电效率。所述导电性糊剂材料的特征在于，其含有SiO2-B2O3-ZnO-RO-R2O系无铅低熔点玻璃，该玻璃以重量%计，含有：2~10%的SiO2、18~30%的B2O3、0~10%的Al2O3、0~25%的ZnO、20~50%的RO(MgO+CaO+SrO+BaO)、10~17%的R2O(Li2O+Na2O+K2O)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种无铅导电性糊剂材料中的良好的低熔点玻璃组合物，所述糊剂材料尤其在形成晶体硅太阳能电池的电极中可获得良好的电特性、并且与硅半导体基板的密合性良好。
技术介绍
作为使用半导体硅基板的电子部件，已知有如图1所示的太阳能电池元件。如图1所示，太阳能电池元件在厚度为200μm左右的p型半导体硅基板1的光接收面侧形成n型半导体硅层2，在光接收面侧表面形成有用以提高光接收效率的氮化硅膜等抗反射膜3，进而在该抗反射膜3上形成有与半导体连接的表面电极4。另外，在p型半导体硅基板1的背面侧，同样地形成有铝电极层5。该铝电极层5通常由如下方法形成：使用丝网印刷等涂布由铝粉末、玻璃粉、包含乙基纤维素、丙烯酸(酯)系树脂等粘结剂的有机赋形剂组成的铝糊剂材料，在600~900℃左右的温度下进行短时间焙烧。在该铝糊剂的焙烧中，铝扩散到p型半导体硅基板1中，从而在铝电极层5与p型半导体硅基板1之间形成被称为BSF（BackSurface Field）层6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.29 JP 2010-1478061.一种SiO2-B2O3-ZnO-RO-R2O系无铅低熔点玻璃，其为在
使用硅半导体基板的太阳能电池中使用的导电性糊剂中所含的
低熔点玻璃，其特征在于，该玻璃的组成为实质上不含铅成分，
且以质量%计，含有：
2~10%的SiO2、18~30%的B2O3、0~10%的Al2O3、0~25%的
ZnO、20~50%的RO、以及10~17%的R2O，
其中，RO是指选自MgO、CaO、SrO、BaO中的一种以上

【专利技术属性】
技术研发人员：滨田润，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：
国别省市：