具备导电性玻璃构件的电气.电子电路系统技术方案

本发明专利技术提供一种具备导电性玻璃构件的电气.电子电路系统。在使用导电性玻璃作为电气.电子材料时，提供防止该电气.电子材料本身不发挥作用或作用降低的部件。电气.电子电路系统的特征在于，具备：导电性玻璃构件；和用于防止上述导电性玻璃构件中的过电流的过电流防止部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备导电性玻璃构件(部材、member)(例如，导电性钒 酸盐玻璃)作为电气，电子材料的电气，电子电路系统。
技术介绍
现在，提案有各种导电性玻璃。这里，以包含五氧化二钒(vanadium pentoxide，五酸化^于^夕厶)的导电性钒酸盐玻璃作为一例来说明，包 含钒(vanadium)的该玻璃通常与离子传导性(通常是电绝缘体)的氧化 物系玻璃不同，具有基于核外电子的跳跃(hopping)的电子传导性(electron conductivity)。通过该机审!j，显示出较高的电导率(electrical conductivity)。 另外，该导电性玻璃作为第二成分可含有氧化钾或氧化钠。进一步地，近年，为了更加提高该导电性钒酸盐玻璃的室温下的电导 率，提案有添加钡和铁作为副成分的技术(专利文献1和2)。该文献涉及 的导电性钒酸盐玻璃是包含钒、钡、以及铁的氧化物系玻璃合成物，其室 温下的电导率为10—4 10—'S，cnT、并且，关于该高导电性玻璃，提案有 电极材料、固体电解质、热敏电阻等传感器这样的新用途。.这里，利用导电性玻璃作为电极等的电气，电子材料的情况下，能够保 证在整体，整层上具有均匀的导电性，并且由于是非晶体而不磨损，具有能 够始终施加稳定电力这样的优点。更进一步地，由于如果是导电性玻璃则 能进行精细加工，因此也具有能够通过使间隙变狭窄而提高放电力等的优 点。此外，还具有不被氧化*风化、并且环境良好的优点。因此，例如，在 专利文献3中提案有，对导电性钒酸盐玻璃实施基于聚焦离子束(FIB) 照射或激光束照射的加工后、由蚀刻或溅射蒸着来进行成膜等中采用的等 离子发生装置用电极。专利文献l: JP特开2003 — 34548专利文献2: JP特开2004—2181专利文献3: JP特开2006—248867
技术实现思路
这里，本专利技术者推进了在电气，电子材料中使用以该导电性钒酸盐玻璃为代表的导电性玻璃的研究。在该研究过程中，本专利技术者发现如下情况 在对由导电性玻璃构成的电气，电子材料进行通电时，虽然开始时电压上 升，流过该玻璃的电流为细微增加的程度，但是从某程度大小的电压开始 情况发生变化，伴随电压的上升电流突然增加，此外，即使在固定电压下 也显示出，由于发热导电性玻璃的温度慢慢升高，伴随此情况电流也慢慢 增大的情形。更进一步地，本专利技术者得到如下这样的知识，S卩，通过该突 然的电流增加，存在作为电气，电子材料的该玻璃熔化的条件。特别地，如 下述，由于该导电性玻璃具有特别优异的加工性，因此通过实施例如聚焦 离子束加工，纳米尺寸的精细加工就成为可能，但是即使特意实施纳米尺 寸的精细加工，在稍稍熔化的情况下，该电子构件的功能可能消失。因此， 本专利技术目的在于提供一种方法，在使用导电性玻璃作为电气，电子材料时， 防止该电气，电子材料本身功能消失或功能下降。本专利技术(1)是一种电气，电子电路系统，其特征在于，在该电气，电子 电路系统内，包括导电性玻璃构件；和过电流防止部件，其用于防止上 述导电性玻璃构件中的过电流。本专利技术(2)是一种上述专利技术(1)的电气.电子电路系统，其中，上述过电流防止部件是与上述导电性玻璃构件串联连接的电阻器。本专利技术(3)是一种上述专利技术(2)的电气.电子电路系统，其中，上述 电阻器，即使在将规定电压施加在该导电性玻璃构件上的情况下，也发挥 作用以使在该导电性玻璃构件中不流动超出容许电流值的电流，并具有根 据上述规定电压和上述容许电流值而可计算出的电阻值。本专利技术(4)是一种上述专利技术(3)的电气.电子电路系统，其中，上述 电阻值为上述规定电压除以上述导电性玻璃构件的容许电流后的第一值 以上；或从上述第一值中减去上述导电性玻璃构件的电阻值后的第二值以 上；或在上述第一值或上述第二值上乘以安全率后的第三值以上。本专利技术(5)是一种上述专利技术(3)或(4)的电气，电子电路系统，其中，上述电气，电子电路系统还具有施加电压可变部件，其能够使可施加在 上述导电性玻璃构件上的电压在规定范围内进行变化， 上述规定电压是上述规定范围内的最大电压。本专利技术(6)是一种上述专利技术(1)的电气，电子电路系统，其中，上述 过电流防止部件是与上述导电性玻璃构件串联连接的保护电阻元件。本专利技术(7)是一种上述专利技术(6)的电气*电子电路系统，其中，上述 保护电阻元件是具有正的温度特性的电阻元件。本专利技术(8)是一种上述专利技术(1)的电气*电子电路系统，其中，上述 过电流防止部件是电流检测部件，其检测在上述导电性玻璃构件中流动 的电流；和电流控制部件，其根据检测到的电流信息，控制或切断在上述导电性玻璃构件中流动的电流。本专利技术(9)是一种上述专利技术(1)的电气*电子电路系统，其中，上述过电流防止部件是温度检测部件，其检测上述导电性玻璃构件的温度；和电流控制部件，其根据检测到的温度信息，控制或切断流过上述导电性 玻璃构件的电流。本专利技术(10)是一种上述专利技术(1) (9)中任一项的电气，电子电路系统，其中，上述导电性玻璃构件是对导电性玻璃部位采用离子束照射或 激光束照射进行精密加工后的构件。本专利技术(11)是一种上述专利技术(1) (10)中任一项的电气，电子电 路系统，其中，.上述导电性玻璃是导电性钒酸盐玻璃。本专利技术(12)是一种上述专利技术(1) (11)中任一项的电气，电子电 路系统，其中，本专利技术(12)是电气*电子零部件、或组合该电气'电子 零部件后的电气，电子制品。这里，针对本说明书中的各用语的意思进行说明。首先，所谓"导电 性玻璃"指的是，电导率至少为1X10—i3s/cm(优选为，至少1X10—9S/cm， 更优选为，1X10—7S/cm)的玻璃。所谓"导电性玻璃"可列举，例如， 离子传导玻璃、电子传导玻璃、或共有上述二种传导性的混合传导型玻璃 等。作为"离子传导玻璃"不进行特别限定，但是列举包含例如， Agl-Ag20-B202、 Agl-Ag20-P205、 Agl-Ag20-W03、 LiCl-Li20-B203等的玻 璃。作为"电子传导玻璃"，列举例如荷电子跳跃传导玻璃、能带隙传导玻璃等。作为荷电子跳跃传导玻璃不进行特别限定，但是列举包含钒酸盐的玻璃。作为能带隙传导玻璃不进行特别限定，但是，列举Ge-Te-S、 Ge-Te-Se、 Ge-Te-Sb等硫属化物玻璃(chalcogenide glass)。作为"混合传 导型玻璃"不进行特别限定，但是列举包含钒酸盐、Agl以及Ag02的玻 璃(参照JP特开2004—331416号公报)或LixW03。即使在这些之中， 根据导电性较高的理由，特别优选包含钒酸盐的玻璃。所谓"导电性玻璃 构件"不特别限定以导电性玻璃作为导电部位，例如也可以是仅由导电性 玻璃构成的构件、或与别的材料的复合构件。所谓"电气，电子电路"意思 是，电气电路(强电)以及/或电子电路(弱电)。所谓"系统"，不特别限 定为具有导电性玻璃构件和过电流防止部件的"物"，能够列举例如电气 电子零部件、具有该电气*电子零部件的电气，电子制品。"过电流防止 部件"作为单一或多个要素的结合的结果，不特别限定为具有防止能使导 电性玻璃构件的熔化的过电流的作用，作为单一发挥该作用的部件，能够 列举例如电阻器或保护电阻元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电气.电子电路系统，在该电气.电子电路系统内，包括：　导电性玻璃构件；和　过电流防止部件，其用于防止上述导电性玻璃构件中的过电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：真边和美，森重明，真边武士，松下满树，小林贤一，
申请(专利权)人：株式会社东海产业，
类型：发明
国别省市：JP[日本]