【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及清洁化学气相沉积（CVD）腔室，特别是等离子体增强化学气相沉积（PECVD）腔室的新方法及其设备。技术背景无定形薄膜和微晶薄膜用于制造光伏器件，并通常使用化学气相沉积技术来沉积。具体而言，PECVD方法从气态物质出发，通过以下步骤在基材的表面沉积上固态薄膜：将前体反应气体注入PECVD腔室，然后利用由射频（RF）或DC放电形成的等离子体将所述气体裂解成活性离子或自由基（即解离的中性反应性元素）。使用PECVD法制造器件包括沉积硅、氧化硅、氮化硅、金属氧化物和其它材料的薄膜。这些沉积过程在腔室中留下沉积物，必须定期清洁该沉积物。已知几种清洁PECVD腔室的方法。一种此类方法是原位激活清洁，其中将清洁气体注入腔室中并且激发等离子体。由等离子体形成的离子和自由基与硅沉积物在腔室的侧壁和莲蓬头上发生反应。然而，原位等离子体激活可导致等离子体引发的损坏及设备和部件寿命的减少。另外，由于电弧的风险，需要避免高压。另一种腔室清洁方法...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.25 US 61/376,7751.一种清洁化学气相沉积腔室的方法，该方法包括：
将分子氟引入所述腔室中；
使所述分子氟与所述腔室中不希望有的沉积物反应；以及
排除所述腔室中的气体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔室是等离子体增强化学
气相沉积腔室。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述清洁过程中所述腔室保
持在固定的压力下。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述固定的压力为5-9托。
5.一种清洁化学气相沉积腔室的方法，该方法包括：
将分子氟引入所述腔室中；
使所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：JC·西高，黄应享，P·A·斯托克曼，R·霍格尔，S·彼得里，
申请(专利权)人：琳德股份公司，
类型：
国别省市：
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