碳纳米管太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供的一种碳纳米管太阳能电池，其包括：硅基底、碳纳米管薄膜、设置于硅基底和碳纳米管薄膜之间的氧化层、负电极。其中，所述氧化层选自氧化硅或者氧化铝，其厚度范围控制在1～4纳米。氧化层可以通过化学氧化或者物理沉积的方式形成。通过在碳纳米管薄膜和硅基底之间设置氧化层，相当于在碳纳米管薄膜和硅基底间形成了一个高势垒区，可以有效阻止由光激发生成的电子直接向碳纳米管薄膜传输，抑制了不可利用的暗电流的形成，提高了电池转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能光伏
，具体涉及一种碳纳米管太阳能电池，以及该碳纳米管太阳能电池的制备方法。
技术介绍
随着能源短缺，环境污染和温室效应等问题的日益突出，高效利用太阳能这一新兴的清洁能源显得愈发重要。太阳能的利用方式包括光能-热能转换、光能-电能转换、光能-化学能转换。太阳能电池是光能-电能转换的典型例子，其是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。目前，占有主导商业地位的太阳能电池为硅太阳能电池，其转化效率为14%-17%左右，晶体硅太阳能电池制造工艺复杂，完全使用硅作为光电转换的材料，要获得高转换效率的硅太阳能电池，需要制备出高纯度的原料硅。目前原料硅的制备工艺远不能满足太阳能电池发展的需要，并且制备原料硅需要消耗大量的电能，这提高了硅太阳能电·池的成本，并且对环境产生很大的污染。因此发展其它类型的太阳能电池，就显得具有很重要的意义。碳纳米管是由一层或者数层石墨层片按照一定的螺旋角卷曲而成的纳米材料。理论计算和实测结果表面，根据碳纳米管的几何结构不同，碳纳米管既可能是导体，也可能是半导体，其能隙宽度可以从O改变到与硅相当，这表明了碳纳米管将在半导体领域扮演重要的角色。基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：硅基底；碳纳米管薄膜；氧化层，设置于硅基底和碳纳米管薄膜之间；负电极，设置在硅基底的远离碳纳米管薄膜一侧的表面,并与所述表面欧姆接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李清文，邸江涛，勇振中，李红波，金赫华，
申请(专利权)人：苏州捷迪纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：