一种具有绝缘散热基板的电子元件制造技术

本发明专利技术提供一种具有绝缘散热基板的电子元件，包括：一散热基板；其中，该散热基板为一经绝缘处理的镁合金板，且该镁合金板不包括锂元素；一电路层，直接贴覆形成于该散热基板的板体表面处；以及一电子元件，以覆晶方式电连接于该电路层，且该电子元件的至少部分绝缘结构体，是经由一中介层而固定于该散热基板，以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。本发明专利技术成本低，实现工序简单，且可有效地解决目前LED晶粒、IC晶粒或IC基板的散热问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种具有绝缘散热基板的电子元件，特别是关于一种具镁合金绝缘散热基板的电子元件。
技术介绍
近年来，电子产品领域技术突飞猛进，加上市场对产品轻、薄、短、小及高规格、高效能的需求，种种都使散热效率成为许多产品开发的瓶颈。因此，如何在散热元件的材质选用开发等寻求突破，以追求更好的散热效果，成为许多技艺的开发重点。于其中，将具有良好散热性的镁锂合金材料应用于散热技术的想法，已逐渐为业界所采用。例如，于中国技术专利公告号CN201585224U中，已揭露一种可将镁锂合金应用于散热技术的想法。另一方面，目前以非打线(bonding)方式(例如,可为一种覆晶(Flip-Chip)封装方式)，将LED晶粒或IC晶粒或IC基板(电子元件)结合于贴附有一导电层的绝缘散热基板的实施方式，也因此种封装技术逐渐成熟，且散热性较佳，故业已广泛被LED业界或是IC封装业界所采用。基于此，如何将镁锂合金以外的镁合金材料，应用于上述以覆晶(Flip-Chip)封装方式将电子元件结合绝缘散热基板的元件结构中，以更进一步提高电子元件的散热效果，遂成为本专利技术的研究课题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术存在的上述不足，提供一种采用不包括锂元素在内的镁合金基板并以覆晶方式进行封装的具有绝缘散热基板的电子元件，成本低，散热效率高。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种具有绝缘散热基板的电子元件，其包括散热基板、电路层以及电子结构体，其中，该散热基板为经绝缘处理的镁合金板，且该镁合金板不包括锂元素；该电路层直接贴覆形成于该散热基板的板体表面处；该电子结构体以覆晶方式电连接于该电路层，且该电子结构体的至少部分绝缘结构体，是经由一中介层而固定于该散热基板，以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。较佳地,该镁合金板中，含有94% 97%重量百分比的镁元素。较佳地,该镁合金板还包括少于O. I %重量百分比的娃、抑或还包括少于O. 005%重量百分比的铁、抑或还包括少于O. 05 %重量百分比的铜、抑或还包括介于O. 2% O. 5%重量百分比的猛、抑或还包括介于O. 5% I. 5%重量百分比的锌、抑或还包括介于2.5% 3. 5%重量百分比的铝、抑或还包括少于O. 005%重量百分比的镍。较佳地，该镁合金板的绝缘处理方式，包括一物理式绝缘处理程序及/或一化学式绝缘处理程序。较佳地，该镁合金板的绝缘处理方式，可为纳米真空溅镀绝缘处理程序、无电解镍(Electroless Nickel)绝缘处理程序，抑或为微弧氧化(Micro Arc Oxidation)绝缘处理程序。较佳地，该电路层可为至少以一金属层、一铟锑氧化物(Indium Tin Oxides, ITO)透明电极层或一石墨烯电极层为一导电层，经由一蚀刻程序后所得致。较佳地，所述的具有绝缘散热基板的电子元件还包括覆晶凸块(Flip-ChipBump)，该覆晶凸块电连接于该电子结构体与该电路层之间，且该覆晶凸块是以蒸镀(Evaporation)、派镀(Sputtering)、电镀(Electroplating)或印刷(Printing)方式所形成；其中，该覆晶凸块为包括锡铅凸块或无铅凸块在内的金属凸块。较佳地，该电子结构体可为LED发光晶粒，抑或为逻辑IC晶粒或逻辑IC基板，抑或为内存IC晶粒或内存IC基板。较佳地，该中介层可为导热胶，抑或为锡团、锡堆、锡膏等焊料。·本专利技术还提供一种具有绝缘散热基板的电子元件，其包括散热基板、导电层以及电子结构体，该散热基板为经绝缘处理的镁合金板；该导电层直接形成于该散基热板的板体表面；该电子结构体具有至少一电极部，该至少一电极部以非打线(bonding)方式电连接于该导电层，且该电子结构体的至少部分绝缘结构体，是经由一中介层而固定于该散热基板，以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。较佳地,该镁合金板中，含有94% 97%重量百分比的镁元素。较佳地，该镁合金板中不包括锂元素，且该镁合金板还包括少于0. 1%重量百分比的硅、抑或还包括少于0. 005%重量百分比的铁、抑或还包括少于0. 05%重量百分比的铜、抑或还包括介于0. 2% 0. 5%重量百分比的猛、抑或还包括介于0. 5% I. 5%重量百分比的锌、抑或还包括介于2. 5% 3. 5%重量百分比的招、抑或还包括少于0. 005%重量百分比的镍。较佳地，该镁合金板的绝缘处理方式，可包括一物理式绝缘处理程序及/或一化学式绝缘处理程序。较佳地，该镁合金板的绝缘处理方式，可为纳米真空溅镀绝缘处理程序、无电解镍(Electroless Nickel)绝缘处理程序，抑或为微弧氧化(Micro Arc Oxidation)绝缘处理程序。较佳地，该导电层可为金属层、铟锑氧化物(Indium Tin Oxides，ITO)透明电极层或石墨烯电极层。较佳地，该导电层可经由一蚀刻程序，以得致一电路层。较佳地,该非打线(bonding)方式,可为覆晶(Flip-Chip)封装方式。较佳地，所述具有绝缘散热基板的电子元件还包括覆晶凸块(Flip-ChipBump)，该覆晶凸块电连接于该至少一电极部与该导电层之间，且该覆晶凸块是以蒸镀(Evaporation)、派镀(Sputtering)、电镀(Electroplating)或印刷(Printing)方式所形成；其中，该覆晶凸块可为包括锡铅凸块或无铅凸块在内的金属凸块。较佳地，该电子结构体可为LED发光晶粒，抑或为逻辑IC晶粒或逻辑IC基板，抑或为内存IC晶粒或内存IC基板。较佳地，该中介层可为导热胶，抑或为锡团、锡堆、锡膏等焊料。本专利技术将具有高散热性与低比热的镁合金板做为电子结构体的散热基板，且于其板体表面上方直接贴覆形成导电层或电路层，并再利用覆晶凸块将电子结构体直接形成覆晶式电连接结构，从而可以低成本、工序简单的方式，大幅且有效地解决目前LED晶粒、IC晶粒或IC基板的散热问题。附图说明图I :其为本专利技术的一第一较佳实施概念示例图。图2 :其为可应用 于本专利技术的另一种LED嘉晶结构体的较佳实施概念不例图。图3 :其为本专利技术的一第二较佳实施概念示例图。图4 :其为本专利技术的第二较佳实施概念中导电层(或电路层)与散热基板相结合的结构示例图。图5、图6 :其分别为本专利技术所示第二较佳实施概念中电子结构体的不同角度的结构示例图。图7 :其为可应用于本专利技术的另一种IC结构体的较佳实施概念示例图。具体实施例方式请参阅图1，其为本专利技术的一第一较佳实施概念示例图。于其中，揭露一种电子元件1，至少包括电子结构体10、散热基板U、导电层12。其中，散热基板11为经绝缘处理的镁合金板；更佳者，于镁合金板11中可不包括锂元素，且于该镁合金板11中，至少含有94 % 97 %重量百分比的镁元素。当然，镁合金板11更可包括少于O. I %重量百分比的硅、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的铁、抑或更包括少于O. 05 %重量百分比的铜、抑或更包括介于O. 2 % O. 5%重量百分比的猛、抑或更包括介于O. 5% I. 5%重量百分比的锌、抑或更包括介于2.5% 3. 5%重量百分比的铝、抑或更包括少于O. 005%重量百分比的镍。再则，镁合金板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有绝缘散热基板的电子元件，其特征在于，包括：散热基板；其中，该散热基板为经绝缘处理的镁合金板，且该镁合金板不包括锂元素；电路层，直接贴覆形成于该散热基板的板体表面处；以及电子结构体，以覆晶方式电连接于该电路层，且该电子结构体的至少部分绝缘结构体，是经由一中介层而固定于该散热基板，以藉由该中介层与该散热基板进行散热传导。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴献桐，蔡欣仓，吴柏毅，
申请(专利权)人：吴献桐，
类型：发明
国别省市：