一种显示设备包括：多个发光元件，每个发光元件具有发光单元和用于驱动该发光单元的驱动电路。该驱动电路至少包括：（A）具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的驱动晶体管，（B）具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的视频信号写入晶体管，以及（C）电容单元。在驱动晶体管中，（A-1）源极/漏极区域的一个连接到对应的电流供应线，（A-2）源极/漏极区域的另一区域连接到发光单元并且连接到电容单元的一端，并且形成第二节点，以及（A-3）栅电极连接到视频信号写入晶体管的源极/漏极区域的另一区域，并且连接到电容单元的另一端，并且形成第一节点。
【技术实现步骤摘要】
显示设备和电子装置
本公开涉及显示设备和电子装置。
技术介绍
近年来，作为由液晶显示器为代表的显示设备，使用有机电致发光元件(下文中，简称为“有机EL元件”)的有机电致发光显示设备(下文中，简称为“有机EL显示设备”)正在吸引注意。有机EL显示设备属于自发光类型，并且具有低功耗的特性。考虑到有机EL显示器具有对高分辨率和高速视频信号的充分响应性，并且对于实践应用和商业化的开发正在紧密地进行。有机EL显示设备具有多个发光元件，每个元件包括发光单元ELP和用于驱动该发光单元ELP的驱动电路。例如，图23A是发光元件的等效电路图，该发光元件包括具有两个晶体管和一个电容单元的驱动电路(例如，参见JP-A-2007-310311)。驱动电路具有包括源极/漏极区域、沟道形成区域和栅电极的驱动晶体管TDrv，包括源极/漏极区域、沟道形成区域和栅电极的视频信号写入晶体管TSig，以及电容单元C1。参考数字CEL表示发光单元C1的寄生电容。在驱动晶体管TDrv中，源极/漏极区域的一个区域连接到电流供应线CSL，并且源极/漏极区域的另一区域连接到发光单元ELP，还连接到电容单元C1的一端以构成第二节点ND2。驱动晶体管TDrv的栅电极连接到视频信号写入晶体管TSig的源极/漏极区域的另一区域，并且还连接到电容单元C1的另一端以构成第一节点ND1。在视频信号写入晶体管TSig中，源极/漏极区域的一个区域连接到数据线DTL，并且栅电极连接到扫描线SCL。电流供应线CSL连接到电流供应单元100，数据线DTL连接到视频信号输出电路102，并且扫描线SCL连接到扫描电路101。在发光单元ELP发光时(也就是说，发光单元ELP发光之前和之后)，电流从电流供应单元100通过电流供应线CSL和驱动晶体管TDrv流到发光单元ELP，并且发光单元ELP的阳极电极(对应于第二节点ND2)的电势升高直到达到对应于电流值的操作点。
技术实现思路
另一方面，当在硅半导体基底中提供的p型阱内形成具有n沟道驱动晶体管TDrv的驱动电路时，对于稳定的操作，考虑其中p型阱处于固定电势(例如，p型阱接地)的配置。换句话说，当将驱动晶体管TDrv当作四端晶体管时，考虑其中背栅极端接地的配置。然而，当使用该配置时，以下问题可能出现。也就是说，在使用该驱动电路的发光元件ELP发光时，如上所述第二节点ND2的电势升高。附带地，由于p型阱的电势中不存在变化，所以p型阱和驱动晶体管TDrv的源极之间的电势Vbs升高，并且驱动晶体管TDrv中流过的电流Ids由于所谓背栅极效应降低。结果，发光单元ELP的亮度变得比期望亮度低。因此，为了解决该现象，必需在背栅极效应的前景中增大从视频信号输出电路102输出的信号的值，导致了有机EL显示设备的功耗增大的问题。当发光单元ELP劣化时，如图23B的示意性视图中所示，发光单元ELP的I-V特性劣化。因此，为了与劣化之前相同的电流在发光单元ELP中流过，必需进一步增大阳极电极的电势。附带地，当阳极电极(对应于第二节点ND2)的电势进一步增大时，由于背栅极效应与如上所述相同的问题出现。因此期望提供一种具有能够抑制背栅极效应的出现的配置或结构的显示设备，并且期望提供包括该显示设备的电子装置。本公开的实施例指向包括多个发光元件的显示设备，每个发光元件具有发光单元和用于驱动该发光单元的驱动电路。该驱动电路至少包括：(A)具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的驱动晶体管，(B)具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的视频信号写入晶体管，以及(C)电容单元。在驱动晶体管中，(A-1)源极/漏极区域的一个区域连接到对应的电流供应线，(A-2)源极/漏极区域的另一区域连接到发光单元并且连接到电容单元的一端，并且形成第二节点，以及(A-3)栅电极连接到视频信号写入晶体管的源极/漏极区域的另一区域，并且连接到电容单元的另一端，并且形成第一节点。在视频信号写入晶体管中，(B-1)源极/漏极区域的一个区域连接到对应的数据线，并且(B-2)栅电极连接到对应的扫描线。驱动晶体管形成在第一导电型硅半导体基底中的第二导电型第一阱内形成的第一导电型第二阱中，视频信号写入晶体管形成在第一导电型硅半导体基底中，并且驱动晶体管的源极/漏极区域的另一区域和第二阱电连接在一起。本公开的另一实施例指向包括根据本公开的实施例的上述显示设备的电子装置。在根据本公开实施例的显示设备或根据本公开的另一实施例的电子装置的显示设备中，驱动晶体管的源极/漏极区域的另一区域和第二阱电连接在一起。由于该原因，当驱动晶体管的源极/漏极区域的另一区域的电势升高或电压增大时，第二阱的电势也升高或电压增大。因此，可能抑制背栅极效应(也称为基底偏置效应)的出现，以取得驱动电路的稳定操作，并且抑制显示设备或电子装置的功耗的增大。附图说明图1是包括示例1的显示设备或电子装置的显示设备中的驱动电路的发光元件的示意性局部剖视图。图2A和2B分别是构成示例1和2的显示设备或电子装置的显示设备中的驱动电路的驱动晶体管和视频信号写入晶体管的提取部分的示意性局部剖视图。图3是包括示例1的显示设备或电子装置的显示设备中的驱动电路的修改的发光元件的示意性局部剖视图。图4是构成示例3的显示设备或电子装置的显示设备的电路的概念图。图5是示例3的5Tr/1C驱动电路的等效电路图。图6是示例3的5Tr/1C驱动电路的示意性驱动时序图。图7A-7D是示意性示出构成示例3的5Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图8A-8E是在图7D之后示意性示出构成示例3的5Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图9是构成示例4的显示设备或电子装置的显示设备的电路的概念图。图10是示例4的4Tr/1C驱动电路的等效电路图。图11是示例4的4Tr/1C驱动电路的示意性驱动时序图。图12A-12D是示意性示出构成示例4的4Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图13A-13D是在图12D之后示意性示出构成示例4的4Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图14是构成示例5的显示设备或电子装置的显示设备的电路的概念图。图15是示例5的3Tr/1C驱动电路的等效电路图。图16是示例5的3Tr/1C驱动电路的示意性驱动时序图。图17A-17D是示意性示出构成示例5的3Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图18A-18E是在图17D之后示意性示出构成示例5的3Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图19是构成示例1和6的显示设备或电子装置的显示设备的电路的概念图。图20是示例1和6的2Tr/1C驱动电路的等效电路图。图21是示例1和6的2Tr/1C驱动电路的示意性驱动时序图。图22A-22F是示意性示出构成示例1和6的2Tr/1C驱动电路的每个晶体管的通/断状态等的图。图23A是现有有机EL显示设备的驱动电路的电路图，图23B是示意性示出当发光单元劣化时发光单元的I-V特性的劣化的图。具体实施方式虽然以下将参考附图与示例有关的描述本公开，但是本公开不限于示例，并且示例中的各种数值和材料用于图示。将按以下顺序提供描述。1.根据本公开实施例的显示设备和电子装置的总体描述2.示例本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示设备，包括：多个发光元件，每个发光元件具有发光单元和用于驱动所述发光单元的驱动电路，其中所述驱动电路至少包括（A）具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的驱动晶体管，（B）具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的视频信号写入晶体管，以及（C）电容单元，在所述驱动晶体管中，（A?1）源极/漏极区域的一个区域连接到对应的电流供应线，（A?2）源极/漏极区域的另一区域连接到发光单元并且连接到所述电容单元的一端，并且形成第二节点，以及（A?3）栅电极连接到所述视频信号写入晶体管的源极/漏极区域的另一区域，并且连接到电容单元的另一端，并且形成第一节点，在所述视频信号写入晶体管中，（B?1）源极/漏极区域的一个区域连接到对应的数据线，并且（B?2）栅电极连接到对应的扫描线，所述驱动晶体管形成在在第一导电型硅半导体基底中的第二导电型第一阱内形成的第一导电型第二阱内，所述视频信号写入晶体管形成在第一导电型硅半导体基底中，并且所述驱动晶体管的源极/漏极区域的另一区域和第二阱电连接在一起。
【技术特征摘要】
2011.08.23 JP 2011-1817971.一种显示设备，包括：多个发光元件，每个发光元件具有发光单元和用于驱动所述发光单元的驱动电路，其中所述驱动电路至少包括(A)具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的驱动晶体管，(B)具有源极/漏极区域、沟道形成区域以及栅电极的视频信号写入晶体管，以及(C)电容单元，在所述驱动晶体管中，(A-1)源极/漏极区域的一个区域连接到对应的电流供应线，(A-2)源极/漏极区域的另一区域连接到发光单元并且连接到所述电容单元的一端，并且形成第二节点，以及(A-3)栅电极连接到所述视频信号写入晶体管的源极/漏极区域的另一区域，并且连接到电容单元的另一端，并且形成第一节点，在所述视频信号写入晶体管中，(B-1)源极/漏极区...
【专利技术属性】
技术研发人员：山下淳一，小野山有亮，三并彻雄，丰村直史，山本哲郎，内野胜秀，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：
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