本文涉及一种补偿驱动TFT的阈值电压、供电电压源的压降以及驱动TFT的迁移率的显示装置。显示装置可包括多个像素。至少一个像素可包括诸如第一电容、第二电容、数据晶体管、控制晶体管、发射晶体管、初始化晶体管、驱动晶体管和在其他部件中的发光二极管(LED)之类的部件。
【技术实现步骤摘要】
本文涉及一种能够补偿驱动薄膜晶体管(TFT)的阈值电压、供电电压的压降以及驱动TFT的迁移率的有机发光二极管(OLED)显示装置。
技术介绍
近年来，人们对于显示装置的需求越来越大。诸如液晶显示器(IXD)、等离子体显·示面板(PDP)以及有机发光二极管(OLED)显示器之类的各种平板显示器已得到广泛应用以满足这种需求。与其它平板显示器相比，OLED显示装置以较低的电压驱动、更薄、并具有更宽的视角和更快的响应速度。一种特殊类型的OLED显示装置是有源矩阵OLED显示装置。有源矩阵OLED显示装置具有用于显示图像的以矩阵形式设置的多个像素。有源矩阵OLED显示装置的多个像素由扫描线和数据线限定。每个像素都包括扫描薄膜晶体管(TFT)，该扫描薄膜晶体管(TFT)响应来自扫描线的扫描信号来提供来自数据线的数据电压。每个像素还包括驱动TFT，该驱动TFT响应提供给该驱动TFT的栅极的数据电压来控制提供给OLED的电流的量。提供给有机发光二极管的、在驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids可由等式I来表示Ids = k' · (Vgs-Vth)2在等式I中，k’表示由驱动TFT的结构和物理性质所确定的比例系数，Vgs表示驱动TFT的栅极和源极之间的电压差，并且Vth表示驱动TFT的阈值电压。然而，由于因驱动TFT的恶化所引起的阈值电压的漂移，每个像素的驱动TFT的阈值电压Vth都具有不同的值。驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids取决于驱动TFT的的阈值电压Vth。因此，即使给每个像素提供相同的数据电压，每个像素的驱动TFT的漏极和源极之间的电流Ids也会改变。于是，出现了即使给每个像素提供相同的数据电压，从每个像素的OLED发出的光的光亮度(luminance)也会改变的问题。为了解决这个问题，已经提出了用于补偿每个像素的驱动TFT的阈值电压的各种类型的像素结构。
技术实现思路
在一个实施例中，一种显示像素包括第一电容、数据晶体管、控制晶体管和驱动晶体管。第一电容耦接在像素的第一节点和像素的第二节点之间。驱动晶体管的栅极与第一节点耦接并且驱动晶体管的源极与第二节点耦接。数据晶体管当导通时将第一节点设定到数据电压电平。例如，数据电压电平可表示像素的预期亮度级(intensity level)。控制晶体管当导通时将第二节点设定到高供电电压电平。将第二节点设定到高供电电压电平使得经第一节点和第二节点之间耦接的第一电容引起第一节点处的数据电压的调整，使得在第一节点处产生经调整的数据电压。经调整的数据电压被施加给驱动晶体管的栅极，以控制在发光二极管(LED)中的电流。经调整的数据电压可表示驱动晶体管的阈值电压Vth和显示面板各处的VDD的改变，使得Vth和VDD 二者都被补偿。在一个实施例中，显示像素还包括与第一节点稱接的初始化晶体管。初始化晶体管被配置为响应于初始化晶体管的导通而将第一节点设定到参考电压。然后初始化晶体管截止，以将第一节点浮置。数据晶体管被配置为在第一节点被浮置后将第一节点设定到数据电压。第二电容耦接在第二节点和供电电压之间，并且由将第一节点设定到数据电压引起的第二节点处的电压改变是基于第一和第二电容的电容值的比。在一个实施例中，发射晶体管与LED耦接。发射晶体管被配置为响应于发射晶体管的导通来使得驱动晶体管和LED之间的电流通路能 启用(工作)。在一个实施例中，旁路晶体管也与LED耦接，以响应于旁路晶体管的导通而使电流绕过LED。在一个实施例中，公开了一种在显示像素中的操作方法。显示像素具有驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极与第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与第二节点耦接。第一节点被设定到数据电压。第二节点被设定到供电电压。将第二节点设定到供电电压使得经第一节点和第二节点之间耦接的电容引起第一节点处的数据电压的调整，使得在所述第一节点处产生经调整的数据电压。经调整的数据电压被施加给驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。附图说明本文各个实施例的教导可以通过考虑与附图结合的以下详细的文字描述来容易地理解。图I是根据第一示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图2是示出根据第一示例性实施例的输入至图I的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压变化的波形图。图3是根据第二示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图4是根据第三示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图5是根据第四示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图6是示出根据第四示例性实施例的输入至图5的像素的信号以及第一节点和第二节点的电压变化的波形图。图7是根据第五示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图8是根据第六示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图9是根据第七示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。图10是示意性地示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示装置的方框图。图11是表示根据实施例的在显示装置的显示像素中的操作方法的流程图。具体实施例方式以下将参照附图详细描述本文的各个实施例。在整个说明书中，相似的附图标记可表示相似的元件。在以下的描述中，为了清楚，可省略公知的功能或结构的详细描述。只是为了方便而选择用于以下解释的各个元件的名称，这些名称可因此与它们在实际产品中的名称不同。图I是根据第一示例性实施例的显示面板的像素的等效电路图。参照图1，根据第一示例性实施例的显示面板10的一个像素P由彼此交叉的一条数据线DL和几条脉冲线来限定。脉冲线包括扫描线SL、控制线CL、发射线(emission line)EL以及第一初始化线ILl。该像素P还包括驱动TFT Td、有机发光二极管OLED以及控制电路，所述控制电路包括第一 TFT Tl、第二 TFT T2、第三 TFT T3、和第四 TFT T4。第一 TFT Tl是初始化晶体管，所述初始化晶体管响应于第一初始化线ILl的第一初始化信号(INIl)而被导通或截止，以将像素P的第一节点NI初始化至参考电压REF。第一 TFT Tl的栅极与第一初始化线ILl耦接，TFT Tl的源极与第一节点NI耦接，并且TFTTl的漏极与参考电压REF耦接。 第二 TFT T2是发射晶体管(emission transistor),所述发射晶体管响应于来自发射线EL的发射信号(EM)而被导通或截止，以将驱动TFT Td和有机发光二极管OLED连接。将驱动TFT Td和OLED连接，使得在TFT Td和OLED之间实现了电流路径(currentpath)，从而使得电流能够流过0LED。第二 TFT T2的栅极与发射线EL耦接，TFT T2的源极与驱动TFT Td的漏极耦接，并且TFT T2的漏极与有机发光二极管OLED的阳极耦接。第三TFT T3是数据晶体管(data transistor),所述数据晶体管响应于来自扫描线SL的扫描信号(SS)而被导通或截止，以将来自数据线DL的数据电压Vdata提供给第一节点NI。数据电压Vdata代表OLED的预期亮度级(intended intensity level)。数据电压Vdata用来将在节点NI处的电压电平设定至数据电压Vdata电平，这进而影响流过驱动TFT Td的电流Ids和OLED的亮度。第三TFT T3的栅极与扫本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示像素，所述显示像素包括：第一电容，所述第一电容耦接在第一节点和第二节点之间；数据晶体管(T3)，所述数据晶体管与所述第一节点耦接，并且所述数据晶体管被配置为响应于所述数据晶体管的导通而将所述第一节点设定至数据电压；控制晶体管(T4)，所述控制晶体管与所述第二节点耦接，并且所述控制晶体管被配置为响应于所述控制晶体管的导通而将所述第二节点设定至供电电压，其中将所述第二节点设定至所述供电电压使得经所述第一电容引起所述第一节点处的所述数据电压的调整，以在所述第一节点处产生经调整的数据电压；以及驱动晶体管(Td)，所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点耦接，并且所述驱动晶体管的源极与所述第二节点耦接，其中所述第一节点处的所述经调整的数据电压被施加给所述驱动晶体管的栅极，以控制发光二极管(LED)中的电流。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：韩仁孝，李玹行，韩成晚，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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