有机发光二极管补偿电路制造技术

本发明专利技术公开一种有机发光二极管补偿电路，其包含一第一电容、一第二电容、一稳定单元、一第三晶体管、一有机发光二极管及一驱动单元。稳定单元包含一第一晶体管、一第二晶体管及一光电二极管。驱动单元包含一第四晶体管、一第五晶体管及一第六晶体管。第五晶体管是用以驱动有机发光二极管，第一、第二、第三、第四及第六晶体管则是作为开关使用。第一电容用来作为补偿电容，第二电容用来储存数据电压。经由控制电路中节点上电位，以提升有机发光二极管的电流。如此，可维持有机发光二极管亮度的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管补偿电路
，更具体的说是有关于一种可维持有机发光二极管OLED亮度的稳定性的有机发光二极管补偿电路。
技术介绍
主动数组有机发光二极管(Active-MatrixOrganic Light-Emitting Diode,AM0LED)显示器拥有厚度薄、重量轻、自发光、低驱动电压、高效率、高对比度、高色彩饱和度、反应速度快、可饶曲等特色，被视为继薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display, TFT-LCD)之后,最被看好的新兴显示技术。但由于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,0LED)组件所表现出的亮度是由流过的电流大小所决定的，因此如果要精确控制像素亮度就必须要做到精确控制电流，相较于TFT-LCD只要控制写入像素的电压准位就能控制像素亮度，难度可以说是来得相当高。实际上AMOLED也遇到了许多问题。请一并参阅图I及图2，图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图；图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。如图所示，因为OLED电流1_是由数据电压Vdata利用操作在饱和区的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)(图I及图2中的薄膜晶体管T200)来转换成的电流，其公式为I_ = K(Vgs-Vth)2,当AMOLED经过长时间的使用之后，TFT的Vth会变大，以及载子移动率(Mobility)也会变小，如此一来便会使得I_D下降，造成AMOLED的亮度衰减。此外，由于OLED材料老化的现象，在长时间操作下，会发生跨压逐渐上升以及发光效率下降的问题。OLED跨压的上升可能会影响到薄膜晶体管的操作，以N型薄膜晶体管为例，若OLED接在薄膜晶体管的源极端，当OLED跨压上升时会直接影响到薄膜晶体管的闸极-源极间的端电压源极也就是直接影响流过的电流。而在发光效率方面，若因长时间操作造成材料老化发光效率下降，那么即使是流过相同的电流也无法产生预期的亮度。若红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的发光效率下降程度不同，更会发生色偏的问题。但材料改善不易，因此这并不是一个能轻易解决的问题。随着面板尺寸的加大，信号线逐渐拉长，其内阻效应会日益明显，最后会影响面板亮度的均匀性，此现象称为I-R Drop。请参阅图3，即为I-R Drop的示意图。如图所示，VDD与VSS信号线会随着内阻效应产生压差，进而导致AMOLED面板不同位置像素会有不同大小电流，影响面板亮度的均匀性。
技术实现思路
为解决上述现有技术所存在的问题，本专利技术的目的之一就是提供一种有机发光二极管补偿电路，以解决现有技术中有机发光二极管OLED亮度衰减、发光效率下降以及I-RDrop等问题。本专利技术所述的一种有机发光二极管补偿电路，其包含一第一电容、一第二电容、一稳定单兀、一第三晶体管、一有机发光二极管及一驱动单兀。第一电容的一端为第一节点，另一端为第二节点。第二电容连接第一电源及第一节点。稳定单元连接第一电源、第二电源、第一控制信号及第二控制信号，稳定单元包含一第一晶体管、一第二晶体管及一光电二极管，第一晶体管连接第二晶体管且其连接处为第一节点，第二晶体管连接光电二极管。第三晶体管连接第一节点、一数据电压及一第三控制信号。有机发光二极管连接第一电源或第二电源。驱动单元连接第一电源或第二电源、第二节点、有机发光二极管、第二控制信号及一第四控制信号，驱动单元包含一第四晶体管、一第五晶体管及一第六晶体管，第四晶体管的一端连接第五晶体管的一端且其连接处为第二节点，第四晶体管的另一端则连接第五晶体管的另一端及第六晶体管。其中，稳定单元经由第一晶体管连接第一电源及第一控制信号，并经由第二晶体管连接第二控制信号，且经由光电二极管的输入端连接第二电源；驱动单元经由第四晶体 管连接第二控制信号，并经由第五晶体管连接有机发光二极管，有机发光二极管则连接第一电源，驱动单元再经由第六晶体管连接第四控制信号及第二电源。其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管分别为一第一 P型薄膜晶体管、一第二 P型薄膜晶体管、一第三P型薄膜晶体管、一第四P型薄膜晶体管、一第五P型薄膜晶体管及一第六P型薄膜晶体管。其中，第一P型薄膜晶体管用以将第一电源充电到第一节点上；第二P型薄膜晶体管用以控制光电二极管对第一节点放电的时间；第三P型薄膜晶体管用以控制数据电压输入的时间；第四P型薄膜晶体管是在补偿阶段时将一电位储存于第一电容；第五P型薄膜晶体管用以驱动有机发光二极管；第六P型薄膜晶体管是在初始重置阶段时用以将第二电源及第六P型薄膜晶体管上的电位差充电至第二节点上。其中，稳定单元系经由第一晶体管连接第二电源及第一控制信号，并经由第二晶体管连接第二控制信号，且经由光电二极管的输出端连接第一电源；驱动单元系经由第四晶体管连接第二控制信号，并经由第五晶体管连接有机发光二极管，有机发光二极管则连接第二电源，驱动单元再经由第六晶体管连接第四控制信号及第一电源。其中，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管及第六晶体管系分别为一第一 N型薄膜晶体管、一第二 N型薄膜晶体管、一第三N型薄膜晶体管、一第四N型薄膜晶体管、一第五N型薄膜晶体管及一第六N型薄膜晶体管。其中，第一 N型薄膜晶体管用以将第一节点放电至第二电源；第二 N型薄膜晶体管用以控制光电二极管对第一节点充电的时间；第三N型薄膜晶体管用以控制数据电压输入的时间；第四N型薄膜晶体管是在补偿阶段时将一电位储存于第一电容；第五N型薄膜晶体管用以驱动有机发光二极管；第六N型薄膜晶体管是在初始重置阶段时用以将第一电源减掉所述第六N型薄膜晶体管上的电位差后的电位充电到第二节点上。承上所述，本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路，通过控制电路中节点上的电位差，使得即使有机发光二极管发光效率下降时，也可经由补偿电路使Imd变大，如此一来便可让OLED组件更亮，达到补偿的效果，借此维持OLED亮度的稳定性。附图说明图I为无补偿的P型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图2为无补偿的N型晶体管AMOLED像素电路架构的电路示意图。图3为I-R Drop的示意图。图4为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第一实施例的电路示意图。图5为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第一实施例的信号波形示意图。图6为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第二实施例的电路示意图。 图7为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第二实施例的信号波形示意图。图8为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第二实施例的电路变化的第一电路不意图。图9为本专利技术所述的有机发光二极管补偿电路的第二实施例的电路变化的第二电路不意图。附图标记说明1、2 :有机发光二极管补偿电路；T100、Τ200 :薄膜晶体管；T1 :第一 P型薄膜晶体管；T2 :第二 P型薄膜晶体管；Τ 3 :第三P型薄膜晶体管；Τ4 :第四P型薄膜晶体管；Τ5 :第五P型薄膜晶体管；Τ6 :第六P型薄膜晶体管；Τ10 :第一 N型薄膜晶体管；Τ20 :第二 N型薄膜晶体管；Τ30 :第三N型薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管补偿电路，其特征在于，包含：一第一电容，其一端为一第一节点，另一端为一第二节点；一第二电容，连接一第一电源及所述第一节点；一稳定单元，连接所述第一电源、一第二电源、一第一控制信号及一第二控制信号，所述稳定单元包含一第一晶体管、一第二晶体管及一光电二极管，所述第一晶体管连接所述第二晶体管且其连接处为所述第一节点，所述第二晶体管连接所述光电二极管；一第三晶体管，连接所述第一节点、一数据电压及一第三控制信号；一有机发光二极管，连接所述第一电源或所述第二电源；以及一驱动单元，连接所述第一电源或所述第二电源、所述第二节点、所述有机发光二极管、所述第二控制信号及一第四控制信号，所述驱动单元包含一第四晶体管、一第五晶体管及一第六晶体管，所述第四晶体管的一端连接所述第五晶体管的一端且其连接处为所述第二节点，所述第四晶体管的另一端则连接所述第五晶体管的另一端及所述第六晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柯健专，吴昭慧，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：