一种一步电沉积制备超疏水表面的方法技术

本发明专利技术公开了一种一步电沉积实现导电固体表面超疏水化的制备方法。在含有长链烷基硅氧烷的水解液中采用一步电化学沉积技术在导电固体表面制备粗糙的硅烷薄膜，即可得到与水的接触角大于150°的超疏水表面。上述超疏水化表面的制备方法具有广适性，可适用于多种导电固体表面，如金属（及合金）、导电玻璃与导电聚合物，而且适合形状不规则的基体，该制备方法工艺简单，条件温和，制备成本低，并且，制备得到的超疏水表面具有良好的抗酸碱性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种一步电沉积制备超疏水表面的方法，其特征在于它的步骤如下：1）将0.1~5mL长链烷基硅氧烷滴加到50~95mL乙醇或甲醇中，用盐酸调节pH至2.0~6.0，搅拌下缓慢加入50~5mL?浓度为0.2mol/L硝酸钠或硝酸钾，搅拌水解1~72h，得到沉积液；2）将待沉积的导体基体置于沉积液中作为阴极，以石墨或铂片为辅助电极，在0.1~10.0mA/cm2电流密度下电沉积1~30min，取出基体用气体吹干表面残余溶液，得到具有超疏水的覆盖有纳米多孔官能团化二氧化硅薄膜表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡吉明，伍廉奎，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：