本发明专利技术提供了一种具有断电保护功能的数据存储系统，包括微处理器及第三存储芯片且该微处理器包括用于执行数据操作的主控单元，该系统还包括连接到所述微处理器的第一存储芯片和第二存储芯片，所述微处理器包括断电保护单元，其中：所述第一存储芯片用于存储无需快速处理的大容量数据；所述第二存储芯片为具有断电存储功能的存储器；所述断电保护单元，用于在微处理器断电时将所述主控单元正在执行数据的状态存储到第二存储芯片。本发明专利技术还提供一种对应的方法。本发明专利技术通过至少两种不同类型的存储芯片分别存储不同数据，从而实现了大容量数据存储及断电保护。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储领域，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
随着电气技术的不断发展，国内纺织领域的自动化进程逐步加快，对于织物的品种、质量和织造效率的要求也越来越高。电子多臂技术正是基于上述需求而发展形成的一种高速、高效、花纹多样、自动化控制的开口装置。目前国内的电子多臂控制器的数据存储通常分为PLC控制和单片机控制。在PLC控制存储方式中，其数据容量一般在1000(Γ16000个字节，90%的数据支持 断电数据保持。针对电子多臂的需求，PLC最多可以存储一个支持可编程花纹文件，数据量不超过8000纬的花纹。该方式最直接的缺点是数据的存储量太小(仅能满足8000纬的花纹需求)，无法满足多种花样和大数据量的花纹的存储需求。单片机控制的存储方式中，由于一般单片机仅包含Γ16Κ的片内内存，只能满足系统自身的运行需要，因此为了满足电子多臂的需求，通常需要外扩片外内存。外扩的片外内存一般采用普通的大容量内存，其容量大小和芯片所提供的地址空间相关，一般单片机的扩展容量在32ΙΓ64Κ之间。然而该方式需通过增加大容量的电容或者电池，以支持上述大容量内存的断电数据保持。但电池和电容的容量是有限的，无法满足永久性存储的需求。还可通过选用非易失性内存来实现内存外扩，直接达到断电数据保持的目的。然而非易失性内存的使用寿命存在限制，在芯片工作的短时间内会多次读取写入常用数据，将导致其芯片非易失性功能丧失。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对上述单片机控制存储中无法永久保存断电数据及芯片易丧失非易失性功能的问题，提供一种。本专利技术解决上述技术问题的技术方案是，提供一种具有断电保护功能的数据存储系统，包括微处理器及第三存储芯片且该微处理器包括用于执行数据操作的主控单元，该系统还包括连接到所述微处理器的第一存储芯片和第二存储芯片，所述微处理器包括断电保护单元，其中所述第一存储芯片用于存储无需快速处理的大容量数据；所述第二存储芯片为具有断电存储功能的存储器；所述断电保护单元，用于在微处理器断电时将所述主控单元正在执行数据的状态存储到第二存储芯片。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储系统中，所述第三存储芯片为静态随机存储器并通过数据线和地址线连接到所述微处理器，所述第二存储芯片为电可擦可编程只读存储器并通过Iic总线连接到所述微处理器，所述主控单元将需要快速处理的数据放入静态随机存储器中运行。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储系统中，所述第二存储芯片为非易失性内存，所述主控单元将快速处理的数据放入非易失性内存的高速数据存储地址运行，所述断电保护单元在微处理器断电时将所述主控单元正在执行的数据的状态存储到非易失性内存的断电保护数据地址。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储系统中，所述主控单元用于实现电子多臂控制且该主控单元执行的数据为花纹数据。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储系统中，所述第一存储芯片为快闪只读存储器并通过地址总线与数据总线连接到所述微处理器。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储系统中，所述微处理器还包括状态恢复单元，用于在所述微处理器上电时从所述第二存储芯片读取执行状态数据并发送给主 控单元。本专利技术还提供一种具有断电保护功能的数据存储方法，包括以下步骤微处理器从用于存储无需快速处理的大容量数据的第一存储芯片读取数据并执行；微处理器在断电时将该微处理器正在执行的数据的状态存储到第二存储芯片，所述第二存储芯片为具有断电存储功能的存储器。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储方法中，所述第二存储芯片为电可擦可编程只读存储器并通过IIC总线连接到所述微处理器，该方法还包括所述微处理器将需要快速处理的数据放入静态随机存储器中运行，所述静态随机存储器通过数据线和地址线连接到所述微处理器。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储方法中，所述第二存储芯片为非易失性内存，所述微处理器将快速处理的数据放入非易失性内存的高速数据存储地址运行，并在断电时将该微处理器正在执行的数据的状态存储到非易失性内存的断电保护数据地址。在本专利技术所述的具有断电保护功能的数据存储方法中，所述微处理器用于实现电子多臂控制且该微处理器执行的数据为花纹数据。本专利技术的，通过至少两种不同类型的存储芯片分别存储不同数据，从而实现了大容量数据存储及断电保护。本专利技术可构建高速、稳定、大存储量的数据存储系统，从而满足电子多臂系统上的高速、稳定、大容量数据存储、多花样文件存储的需求。附图说明图I是本专利技术具有断电保护功能的数据存储系统第一实施例的示意图。图2是本专利技术具有断电保护功能的数据存储系统第二实施例的示意图。图3是本专利技术具有断电保护功能的数据存储方法实施例的流程示意图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图I所示，是本专利技术具有断电保护功能的数据存储系统第一实施例的示意图。本实施例的系统包括微处理器11、SRAM (静态随机存储器)12、FLASH ROM (快闪只读存储器)13以及EEPROM (电可擦可编程只读存储器)14，其中微处理器11包括主控单元111以及断电保护单元112。当然，上述SRAM12、FLASH ROMl3以及EEPR0M14包括存储芯片及对应的外围电路。微处理器11为工业级嵌入式ARM微处理器，用于实现设备控制。主控单元111以及断电保护单元112为逻辑单元，其功能由运行于微处理器11上的软件代码实现。主控单元111用于执行数据操作以实现设备控制，例如纺织机械中的电子多臂控制，其可执行花纹数据以实现花纹纺织。当然，上述数据也可以为其他控制数据，例如机床控制数据等，相应地，主控单元111可通过执行数据实现机床控制。上述的FLASH R0M13通过地址总线和数据总线连接到微处理器11，并用于存储无需快速处理的大容量数据，从而使该系统实现大容量数据存储。SRAM12也通过地址总线和·数据总线连接到微处理器11，并用于存储需要快速处理的数据，例如主控单元111当前正在执行的花纹数据。EEPR0M14则通过IIC总线与微处理器11连接，并在系统正常运行状态不进行任何数据存储操作。在微处理器11断电时，微处理器11的断电保护单元112将主控单元111正在执行数据的状态存储到EEPR0M14。上述系统利用FLASH R0M13的大容量特性，又回避了其读取和写入速度慢的缺点；当检测到断电状态时，将掉电保护的状态，存储EEPR0M14，保证失电状态下的快速存储，无需使用电容或电池。EEPROM的读写寿命为100万次，足以满足掉电时的数据存储要求，合理利用了 EEPROM的使用寿命。如图2所示，在本专利技术的第二实施例中，数据存储系统除了包括微处理器21外，还包括FLASH R0M23及非易失性内存22。上述FLASH R0M23及非易失性内存22都通过地址总线和数据总线与微处理器21连接。上述的非易失性内存22的地址中划分有高速数据存储地址和断电保护数据地址。微处理器21的主控单元211将需要快速处理的数据放入非易失性内存22的高速数据存储地址运行，而断电保护单元212则在微处理器本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有断电保护功能的数据存储系统，包括微处理器及第三存储芯片且该微处理器包括用于执行数据操作的主控单元，其特征在于：该系统还包括连接到所述微处理器的第一存储芯片和第二存储芯片，所述微处理器包括断电保护单元，其中：所述第一存储芯片用于存储无需快速处理的大容量数据；所述第二存储芯片为具有断电存储功能的存储器；所述断电保护单元，用于在微处理器断电时将所述主控单元正在执行数据的状态存储到第二存储芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈天丰，
申请(专利权)人：杭州汇坤控制技术有限公司，深圳市汇川技术股份有限公司，苏州汇川技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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