【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种固态存储装置及其控制方法，且特别是有关于一种不预期断电后固态存储装置中的数据存储方法。
技术介绍
众所周知，固态存储装置(Solid State Drive，简称SSD)使用与非门闪存(NANDflash memory)为主要存储元件,而此类的存储装置为一种非挥发性(non-volatile)的存储器元件。也就是说，当数据写入闪存后，一旦系统电源关闭，数据仍保存在固态存储装置中。与非门闪存依据不同的设计,可分为单层晶胞(single-level cell,简称SLC)、多层晶胞(mult1-level cell,简称MLC)、以及三层晶胞(triple-level cell,简称TLC)的闪存。SLC闪存的特点为访问速度快、价格贵、可擦除次数约为数万次以上，但是一个晶胞(cell)仅可存储I位的数据。TLC闪存的特性为访问速度慢、价格便宜、可擦除次数约为I千次以下，但是一个晶胞可存储3位的数据。而MLC闪存的特性介于SLC闪存与TLC闪存之间，访问速度与价格一般、可擦除次数约为I千至5千次之间，而一个晶胞可存储2位的数据。换句话说，由相同晶...
【技术保护点】
一种固态存储装置遭遇断电之后的数据存储方法，该固态存储装置中的一闪存包括多个区块，每一个区块中包括多个页，而这些区块的其中之一被设定为一旧的开启区块，其特征在于，当该固态存储装置重新接通一电源时，将该旧的开启区块内的有效数据存储至一新的开启区块中。
【技术特征摘要】
1.一种固态存储装置遭遇断电之后的数据存储方法，该固态存储装置中的一闪存包括多个区块，每一个区块中包括多个页，而这些区块的其中之一被设定为一旧的开启区块，其特征在于，当该固态存储装置重新接通一电源时，将该旧的开启区块内的有效数据存储至一新的开启区块中。2.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，还包括下列步骤: 将该旧的开启区块加上一电源标记后设定为一第一关闭区块； 寻找这些区块中的一可使用区块，并设定为一新的开启区块； 将该第一关闭区块中的所有有效数据存储至该新的开启区块；以及 将该第一关闭区块内的所有有效数据设定为无效数据。3.根据权利要求2所述的数据存储方法，其特征在于，还包括下列步骤: 当该固态存储装置重新接通该电源时，若具有该电源标记的该第一关闭区块中具有有效数据时，将所有有效数据存储至该新的开启区块。4.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，该旧的开启区块内所有的有效数据是由一主机产生以及经由一垃圾搜集动作后所产生。5.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄志伟，范纲铭，
申请(专利权)人：建兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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