【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光子集成器件
，特别涉及。
技术介绍
作为光子集成器件的基本单元，光波导广泛应用于光通信、光传感、光存储等领域。硅基波导具有化学稳定性好、机械强度高、与集成电路工艺兼容、便于集成等优点，成为光波导的重要研究方向。光波导由高折射率的芯区和低折射率的包层组成。硅基光波导普遍采用条形波导的结构，由较高折射率的条形芯区和包裹着芯区的较低折射率的包层组成。在通常的制作过程中，首先在芯层下部形成足够厚的下包层，然后沉积芯区薄膜，通过光刻刻蚀等工艺形成条形芯区，最后沉积足够厚的上包层。 制作硅基光波导芯区和包层的方法主要有化学气相沉积法(CVD)、火焰水解法、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、高温氧化。其中CVD法在制作过程中真空度较低、薄膜杂质含量较高，使得光波导的材料损耗难以进一步降低；当沉积速率过快时薄膜内部会出现柱状结晶，导致波导的散射损耗增加；另外，CVD制备的薄膜存在应力，因此难以实现厚膜的沉积。火焰水解法只适合于制备包层和芯层折射率差较小的波导。然而，随着光电子器件集成度的逐步提高，要求光波导兼有较低的损耗和较小的弯曲半径，从而要求光波导芯区和...
【技术保护点】
一种光波导，包括芯层、下包层和上包层，芯层位于上包层和下包层之间，其特征在于：下包层形状为条形，采用氧化硅材料，芯层位于下包层的正上方。
【技术特征摘要】
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