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本发明提供了一种光波导，包括芯层、下包层和上包层，芯层位于上包层和下包层之间，下包层形状为条形，采用氧化硅材料，芯层位于下包层的正上方；发明提出了三种光波导的制作方法，其核心思想在于首先在硅衬底上制作图形化掩膜，刻蚀后的图形衬底再进行氧化，...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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