滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器制造技术

滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，滤波器包括光子晶体层和镜头玻璃，光子晶体层设置在镜头玻璃表面，光子晶体层由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成（DE）5（ED）5型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁,采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了加工难度和对精度的要求。根据需要透过的单色光频率选择合适的光子晶体结构参数，实现单色光透过的滤波器，对选定频率单色光透过率达到100%的滤波效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光 子晶体领域，具体涉及实现对选定频率单色光高透过的一维光子晶体光学滤波器及其该滤波器的制作方法。
技术介绍
自1987年E. Yablonovitch在研究如何抑制自发辐射时和S. John在研究光子局域时分别独立提出光子晶体的概念以来，光子晶体的结构、制备和量子电动力学特性研究开始备受人们关注并得到广泛的研究。早期大部分的研究工作都是集中在二维和三维光子晶体，直到1998年Fink，Winn，Chigrin等人的工作才开始了一维光子晶体的研究。一维光子晶体结构简单，易于制造，同时也具备高维光子晶体的性质，得到了广泛的应用。光子晶体禁带形成是因为其折射率严格周期性分布，这种严格的周期性结构一旦受到破坏，光子晶体的传输特性将发生改变。常见的一维光子晶体滤波器都是采用掺杂结构的光子晶体，有意地引入特定的掺杂缺陷改变光子晶体严格周期结构，由此种光子晶体制成的滤波器结构不稳定，滤波器效果不明显，不能够广泛制作，并加以推广。
技术实现思路
本技术为解决上述技术问题，提供滤波范围54(T760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，采用简单的无掺杂光子晶体结构，只是改变了一次镀膜顺序，大大降低了本文档来自技高网...

【技术保护点】
滤波范围540~760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器，其特征在于：滤波器包括光子晶体层（1）和镜头玻璃（2），光子晶体层（1）设置在镜头玻璃（2）表面，光子晶体层（1）由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成（DE）5（ED）5型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁,其中（DE）5表示5层D介质和E介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm，E介质层的厚度为114.674nm，该复合介质层设置在光子晶体层（1）的内侧，并与镜头玻璃连接；其中（ED）5表示5层E介质和D介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67.34nm，E介质层的厚度为114.67...

【技术特征摘要】
1.滤波范围54(T760nm的无掺杂层光子晶体光学滤波器,其特征在于滤波器包括光子晶体层(I)和镜头玻璃(2)，光子晶体层(I)设置在镜头玻璃(2)表面，光子晶体层(I)由10层D介质层和10层E介质层相互交替叠加构成(DE)5 (ED)5型复合结构，所述的D为硫化锌，E为氟化镁，其中(DE) 5表示5层D介质和E介质交替叠加构成的复合介质层，其中D介质层的厚度为67. 34nm,E介质层的厚度为114. 67...

【专利技术属性】
技术研发人员：李萍，熊国欣，梁高峰，张晓丽，蔺利峰，雷茂生，宋孟丹，罗恩斯，
申请(专利权)人：河南科技大学，
类型：实用新型
国别省市：