【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及,属于抗辐射加固
技术介绍
航天器介质深层带电又称之为航天器内部介质充电,是指空间高能带电粒子穿过航天器表面,在航天器构件的电介质材料内部传输并沉积从而建立电场的过程,当介质深层充电产生的电场强度超过介质材料的击穿阈值时,就会发生放电,放电所产生的电磁脉冲干扰可能破坏航天器内电子学系统的正常工作。由于航天器电子学系统采用了集成度较高的大规模/超大规模微电子器件,电子学系统的性能提高的同时也变得对空间环境更为敏感,严重时会使整个航天器失效。 目前已经搭载过的航天器深层介质充电监测仪通过直接测量导致深层介质带电的电子通量,再根据经验判断航天器的充电程度,但是不能直接精确测量深层介质充电电位值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供,所述方法采用多层电路板结构,可以实时监测介质层内部各点的电位,所述方法采用的屏蔽外壳可以阻止能量200keV以下的电子,这样可以只监测内带电而排除表面充电的影响。本专利技术的目的由以下技术方案实现,所述方法步骤如下(I)制作内带电探头所述内带电探头采用多层电路板结构,内带电探头包括屏蔽外壳、多层电路板、电阻、静电计; ...
【技术保护点】
一种监测航天器内带电电位的方法,其特征在于:所述方法步骤如下:(1)制作内带电探头所述内带电探头采用多层电路板结构,内带电探头包括屏蔽外壳(1?1)、多层电路板、电阻(1?5)、静电计(1?6);其中,所述屏蔽外壳(1?1)为上端开口的铝质壳体,屏蔽外壳(1?1)侧壁设有通孔用于穿过导线;所述多层电路板包括基板、介质层(1?4)和铜膜层(1?3),基板置于最底层,介质层(1?4)置于基板上方,介质层(1?4)和铜膜层(1?3)分别有十层,交叉叠放;电阻(1?5)和静电计(1?6)均为九个;将多层电路板封装并固定于屏蔽外壳(1?1)内,多层电路板上表面与屏蔽外壳(1?1)的上 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:石红,杨生胜,薛玉雄,秦晓刚,田恺,柳青,安恒,杨青,李存惠,汤道坦,
申请(专利权)人:中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所,
类型:发明
国别省市:
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