一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法，本发明专利技术方法为：将采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯转移到贵金属纳米阵列上，并于50℃下保温30分钟，单层石墨烯即与贵金属纳米阵列牢固结合，形成贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底。本发明专利技术方法简单容操作，原材料廉价，且所得复合基底大面积有序，本发明专利技术方法所得复合基底可应用在光电子器件，比如表面增强拉曼芯片，薄膜太阳能电池等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料领域，尤其涉及。
技术介绍
石墨烯是一种新型碳纳米材料，是由碳原子构成的以苯环为基本单元的具有二维蜂窝状结构的单原子层材料，其是构建其他维度碳质材料(如零维富勒烯、一维碳纳米管、三维石墨等)的基本单元。由于石墨烯独特的结构及优异的光学、电学、热学性能，可望应用于高速晶体管、透明电极、太阳能电池、纳机电系统(NEMS)器件、复合材料、催化材料气体传感器及气体存储等领域。因此，石墨烯迅速成为化学、材料科学和凝聚态物理领域近年来的 研究热点，具有很强的开发和应用价值。为了进一步提高石墨烯的性能，通常采用石墨烯与其他纳米材料进行复合，同时纳米材料的性能也能得到提高。现有的石墨烯复合纳米材料的制备方法主要有如下几种(I)插层法，该方法可控性差、产量低，一般作为基础研究；(2)共混法，常用于石墨烯和聚合物复合，通过聚合物与石墨烯纳米粒子共混后制成复合材料，但是难以获得大面积、厚度均一的复合材料；(3)溶胶-凝胶法，将石墨烯片与金属氧化物溶胶混合后制备复合材料，但该方法会破坏石墨烯平面碳骨架，产生缺陷，导致石墨烯性能下降。因此，如何简单可控地制备大面积有序、而石墨烯缺陷不明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底，其特征是，包括：单层石墨烯层和贵金属纳米阵列层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖湘衡，戴志高，应见见，任峰，蒋昌忠，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：