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本发明公开了一种贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底及其制备方法，本发明方法为：将采用化学气相沉积法制备的单层石墨烯转移到贵金属纳米阵列上，并于50℃下保温30分钟，单层石墨烯即与贵金属纳米阵列牢固结合，形成贵金属纳米阵列与单层石墨烯复合基底...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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