【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于抛光诸如半导体晶片的基片的抛光装置和抛光方法，更具体地涉及适合用作用于抛光基片的斜角(bevel)部分的斜角抛光装置、以及用于抛光基片的缺口(notch)部分的缺口抛光装置的抛光装置。
技术介绍
从提高半导体制造产出量的角度，半导体晶片外周表面状态的处理近期已受到重视。在半导体制造工艺中，多种材料反复地沉积在晶片上以形成多层结构。于是，在并非用于产品的晶片外周上形成不想要的薄膜和粗糙表面。近年来，更常见的是通过利用臂仅保·持晶片外周来转移晶片。在此情况下，在几个工艺过程中，不想要的薄膜脱离外周到形成在晶片上的器件上，导致产出量降低。因此，通常使用抛光装置抛光晶片外周以去除不想要的薄膜以及粗糙表面。利用用于抛光基片外周的抛光带的抛光装置已知为这种类型的抛光装置。该类型的抛光装置通过使抛光带的抛光表面与基片外周滑动接触以抛光基片外周。由于待去除不想要的薄膜的类型和厚度在不同基片之间是不同的，通常使用具有不同粗糙度的多个抛光带。典型地，进行粗抛光以去除不想要的薄膜并形成外周形状，此后进行精抛光以形成光滑表面。斜角部分与缺口部分通常形成在基片外周。...
【技术保护点】
一种使用了具备多个抛光头组件及多个带供给与收回机构的抛光装置的抛光方法，其特征在于，包括：通过旋转保持机构转动基片；通过按压抛光带紧贴所述基片的外周上的第一区域以抛光所述第一区域；通过按压所述抛光带紧贴所述基片的外周上的第二区域以抛光所述第二区域；在所述第二区域的抛光过程中，通过按压替代抛光带而被安装在所述多个抛光头组件及所述多个带供给与收回机构的至少一组上的带状清洗布紧贴所述第一区域以清洗所述第一区域；以及在由所述抛光带进行的所述第二区域的抛光结束之后，通过按压所述带状清洗布紧贴所述第二区域以清洗所述第二区域。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高桥圭瑞，关正也，草宏明，山口健二，中西正行，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：
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