【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于软磁铁氧体
,具体涉及一种在IMHz内具有较高的电阻率(P ^ 10 Ω . m);在更宽的温度范围内,具有较小的初始磁导率比温度系数(-55 25 °C 温度范围内,α μ Γ=0. 3X10^1. 2X1(T6/ °C,25 100 °C 温度范围内,α μ Γ=0. 4X10^1. 6 X IO^V0O0满足电涡流接近传感器对铁氧体材料高电阻率、小比温度系数、抗干扰能力强的要求,尤其适合军工领域的需求。
技术介绍
电涡流式接近开关俗称电感接近开关,其利用磁场间的能量耦合实现对被测量的检测,属于一种开关量输出的位置传感器,因具有非接触(不会产生机械磨损和疲劳损伤)、工作寿命长、响应快、体积小等优点,被广泛应用于军用、建筑、冶金、轻工、工程、动力系统等领域中的位移、振动、厚度、转速、温度、金属材料的腐蚀、裂纹和无损评价等不同方面。最初设计的电涡流接近开关大都采用空心线圈,减小了加工难度的同时造成了磁场能量的损耗,使磁场能量不能得到最大限度的发挥,从而影响接近开关性能。为了将磁场限定在一定范围内,在工作区域内产生更强的磁场,提高接近开关的性 ...
【技术保护点】
一种电涡流式接近开关用锰锌铁氧体材料,具有高电阻率ρ和小比温度系数αμir且抗干扰能力强,其特征在于:包括主成分和副成分,所述主成分为:氧化铁、氧化锰和氧化锌,所述主成分以各自标准物计的含量如下:Fe2O3?51.5~53mol%、Mn3O4?24.0~25.0mol%、ZnO?20.5~22.5mol%;所述副成分包括纳米二氧化钛、纳米二氧化硅、纳米氧化钙、纳米三氧化二钴和纳米氧化锡,相对所述主成分总量,所述副成分以各自标准物计的含量如下:纳米TiO2?0.50~1.00wt%,纳米SiO2?0.30~0.50wt%,?纳米CaO?1.00~1.50wt%,?纳米Co2O ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:董生玉,杜成虎,孙蒋平,龚佑辉,郁于松,
申请(专利权)人:天通控股股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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