一种MCR励磁系统的调制驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种MCR励磁系统的调制驱动装置，包括依次连接的控制单元、可控硅触发变压器和可控硅单元。本实用新型专利技术所述MCR励磁系统的调制驱动装置，可以克服现有技术中稳定性差和适用范围小等缺陷，以实现稳定性好和适用范围大的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
，具体地，涉及一种MCR励磁系统的调制驱动>J-U ρ α 装直。
技术介绍
MCR型电压动态无功补偿装置，是由MCR电抗器、直流激励调节单元、控制器及监视器组成。其中，MCR电抗器和直流激励调节单元(参见图I)安装在室外，其直流励磁系统中的可控硅、二极管等电力电子器件的参数与其环境条件有十分密切的关系，在高海拔、低温环境下工作时，特别要注意其温度特性。在现有技术中，多数可控硅出厂参数标注中，阻断电压、漏电流、di/dt、dv/dt等参数值，是在额定结温条件下测试值；例如，门极触发电流Igt、门极触发电压Vgt是在25°C时的测试值，它们一般是随温度升高而降低(参见图2);在高海拔、低温条件下使用时，则需要注意。由图2可知，在低温下要保证MCR励磁系统的正常工作，就得保证可控硅的正常触发，因为必须提高可控硅的门极触发电压和电流。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在稳定性差和适用范围小等缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对上述问题，提出一种MCR励磁系统的调制驱动装置，以实现稳定性好和适用范围大的优点。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是一种MCR励磁系统的调制驱动装置，包括依次连接的控制单元、可控硅触发变压器和可控硅单元。进一步地，以上所述的MCR励磁系统的调制驱动装置，还包括用于将单脉冲信号调制成连续的脉冲序列的脉冲调制单元，所述脉冲调制单元的输出端与控制单元的输入端连接。进一步地，所述脉冲调制单元，包括二极管DMl和DM2，电阻RM1、RM2、RM3和RM4，电容CMl和CM2, SA555定时器UMl，以及与门LVC1G08 ;其中所述SA555定时器UMl的R端和VCC端均接直流电源VCC，DC端经电阻RMl接直流电源VCC、经电阻RM2接二极管DM2的阴极、并接二极管DMl的阳极，TR端和TH端接二极管DMl的阴极、接二极管DM2的阳极、并依次经电容CMl和电容CM2后接SA555定时器UMl的CV端，GND端接地、并与电容CMl和电容CM2的公共端连接，Q端经电阻RM3接与门LVC1G08的第一输入端、并依次经电阻RM3和电阻RM4后接直流电源VCC ；所述与门LVC1G08的电源端接直流电源VCC，接地端接地，输出端与控制单元的输入端连接。进一步地，所述控制单元，包括脉冲驱动模块、三极管Q1、第一二极管D1和第一电PlR1;其中所述脉冲驱动模块的输入端与脉冲调制单元的输出端连接，脉冲驱动模块的输出端与三极管Ql的基极连接，脉冲驱动模块的接地端与三极管Ql的发射极连接、且均接地；所述三极管Ql的集电极，与第一二极管D1的阳极及可控硅触发变压器原边线圈的第二连接端连接；第一二极管D1的阴极经第一电阻R1后，与直流电源输入端V1及可控硅触发变压器原边线圈的第一连接端连接。进一步地，所述可控硅触发变压器，包括KCB系列可控硅触发变压器。进一步地，所述可控硅单元，包括第二二极管D2、第三二极管D3、第二电阻R2和晶闸管Q2 ;其中所述第二二极管D2的阳极，与可控硅触发变压器副边线圈的第一连接端连接;第二二极管％的阴极，分别与第三二极管D3的阴极和晶闸管Q2的控制极连接，并通过第二电·阻民后分别与第三二极管D3的阳极、晶闸管Q2的阴极、以及可控硅触发变压器副边线圈的第二连接端连接；所述晶闸管Q2的阳极悬空。本技术各实施例的MCR励磁系统的调制驱动装置，由于包括依次连接的控制单元、可控硅触发变压器和可控硅单元；通过运用调制脉冲，驱动在低温下的可控硅，保证励磁系统在恶劣的低温和高海拔的正常、稳定的的运行；从而可以克服现有技术中稳定性差和适用范围小的缺陷，以实现稳定性好和适用范围大的优点。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中图I为直流激励调节单元的结构示意图；图2为门极触发电流Igt和门极触发电压Vgt随温度升高而降低的示意图；图3为MCR励磁系统的调制驱动装置的工作原理示意图；图4为脉冲调制单元的电气原理示意图(当用硬件调试时焊接RM3，当用软件调制时焊接MR4)；图5a为单脉冲波形示意图；图5b为单脉冲经调制之后的脉冲串波形示意图；图6为经调制后的触发脉冲波形示意图；图7为可控硅正常被触发时的波形示意图。结合附图，本技术实施例中附图标记如下I-控制单元；11_脉冲驱动模块；2_KCB系列可控硅触发变压器；3_可控硅单元；31-晶闸管。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。根据本技术实施例，提供了一种MCR励磁系统的调制驱动装置。如图3-图7所示，本实施例包括依次连接的控制单元(如控制单元I)、可控硅触发变压器和可控硅单元(如可控硅单元3)，还包括用于将单脉冲信号调制成连续的脉冲序列的脉冲调制单元，脉冲调制单元的输出端与控制单元的输入端连接。这里，可控硅触发变压器，优选为KCB系列可控硅触发变压器(如KCB系列可控硅触发变压器2)。控制单元在将驱动信号给可控硅触发变压器之前，会经过脉冲调制单元，把单脉冲变成连续的脉冲序列。该脉冲调制单元，采用SA555定时器UMl搭建的单稳时基电路，使频率和占空比都可调；让驱动信号和调制脉冲经过与门LVC1G08，既达到了调制效果，又使得电路结构简单、成本低、抗高干扰强，具体参见图4。在图4中，上述脉冲调制单元，包括二极管DMl和DM2，电阻RM1、RM2、RM3和RM4，电容CMl和CM2, SA555定时器UM1，以及与门LVC1G08 ;其中SA555定时器UMl的R端和 VCC端均接直流电源VCC，DC端经电阻RMl接直流电源VCC、经电阻RM2接二极管DM2的阴极、并接二极管DMl的阳极，TR端和TH端接二极管DMl的阴极、接二极管DM2的阳极、并依次经电容CMl和电容CM2后接SA555定时器UMl的CV端，GND端接地、并与电容CMl和电容CM2的公共端连接，Q端经电阻RM3接与门LVC1G08的第一输入端、并依次经电阻RM3和电阻RM4后接直流电源VCC ;与门LVC1G08的电源端接直流电源VCC，接地端接地，输出端与控制单元的输入端连接。在图4中，当用硬件调试时焊接RM3，当用软件调制时焊接MR4。在图3中，上述控制单元，包括脉冲驱动模块(如脉冲驱动模块11)、三极管Q1、第一二极管01和第一电阻R1 ;其中脉冲驱动模块的输入端与脉冲调制单元的输出端连接，脉冲驱动模块的输出端与三极管Ql的基极连接，脉冲驱动模块的接地端与三极管Ql的发射极连接、且均接地；三极管Ql的集电极，与第一二极管D1的阳极及可控硅触发变压器原边线圈的第二连接端连接；第一二极管D1的阴极经第一电阻R1后，与直流电源输入端V1及可控硅触发变压器原边线圈的第一连接端连接。上述可控硅单元，包括第二二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MCR励磁系统的调制驱动装置，其特征在于，包括依次连接的控制单元、可控硅触发变压器和可控硅单元。

【技术特征摘要】
1.一种MCR励磁系统的调制驱动装置，其特征在于，包括依次连接的控制单元、可控硅触发变压器和可控硅单元。2.根据权利要求I所述的MCR励磁系统的调制驱动装置，其特征在于，还包括用于将单脉冲信号调制成连续的脉冲序列的脉冲调制单元，所述脉冲调制单元的输出端与控制单元的输入端连接。3.根据权利要求2所述的MCR励磁系统的调制驱动装置，其特征在于，所述脉冲调制单元，包括二极管DMl和DM2，电阻RM1、RM2、RM3和RM4，电容CMl和CM2，SA555定时器UMl，以及与门LVC1G08 ;其中 所述SA555定时器UMl的R端和VCC端均接直流电源VCC，DC端经电阻RMl接直流电源VCC、经电阻RM2接二极管DM2的阴极、并接二极管DMl的阳极，TR端和TH端接二极管DMl的阴极、接二极管DM2的阳极、并依次经电容CMl和电容CM2后接SA555定时器UMl的CV端，GND端接地、并与电容CMl和电容CM2的公共端连接，Q端经电阻RM3接与门LVC1G08的第一输入端、并依次经电阻RM3和电阻RM4后接直流电源VCC ； 所述与门LVC1G08的电源端接直流电源VCC，接地端接地，输出端与控制单元的输入端连接。4.根据权利要求1-3中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兆明，王笋，魏学良，
申请(专利权)人：北京东展科博电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：