具有抗干扰能力的双稳态电路制造技术

技术编号:8343915 阅读:344 留言:0更新日期:2013-02-17 14:32
本实用新型专利技术公开了一种具有抗干扰能力的双稳态电路,包括电源,光电耦合器、晶体管、电阻、电容、信号输入端和信号输出端,所述的电源分别通过电阻R1和电阻R2接光电耦合器的4脚和2脚;所述的光电耦合器的3脚第一路通过并联的的电阻R3和电容C1后接信号输入端,第二路接晶体管VT的基极,第三路通过一电阻R4接电源负极;所述的光电耦合器的1脚分别接信号输出端和晶体管VT的集电极;所述的晶体管VT的发射极通过一电阻R5接电源负极。由于采用上述的电路结构设计,即采用由光电耦合器和晶体管组成双稳态电路,具有良好的抗干扰能力,可满足对双稳态电路越来越高的要求。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
,具体地说,它是一种具有抗干扰能力的的双稳态电路。
技术介绍
在电子电路中。其双稳态电路的特点是它有两个稳定状态,在没有外来触发信号的作用下,电路始终处于原来的稳定状态。由于它具有两个稳定状态,故称为双稳态电路;在外加输入触发信号作用下,双稳态电路从一个稳定状态翻转到另一个稳定状态。因此,双稳态电路在自动化控制中有着广泛的应用。传统的双稳态电路多采用分立元件、晶体管、集成电路和与非门以及D触发器等构成双稳态带路,能够满足大多数时候的需要,但其抗干扰能力则相对较差,不能满足现代·社会对双稳态电路越来越高的要求。因此,现有技术有待于改进和提闻。
技术实现思路
针对现有技术中存在的不足之处,本技术的目的是通过采用光电耦合器和晶体管组成的双稳态电路的结构设计,大幅提高双稳态电路的抗干扰能力。为实现上述目的,本技术所采用的技术方案是一种具有抗干扰能力的双稳态电路,包括电源,光电耦合器、晶体管、电阻、电容、信号输入端和信号输出端,所述的电源分别通过电阻Rl和电阻R2接光电耦合器的4脚和2脚;所述的光电耦合器的3脚第一路通过并联的的电阻R3和电容Cl后接信号输入端,第二路接晶体管VT的基极,第三路通过一电阻R4接电源负极;所述的光电耦合器的I脚分别接信号输出端和晶体管VT的集电极;所述的晶体管VT的发射极通过一电阻R5接电源负极。本技术的有益效果是由于采用上述的电路结构设计,即采用由光电耦合器和晶体管组成双稳态电路,具有良好的抗干扰能力,可满足对双稳态电路越来越高的要求。附图说明附图I为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步的详细说明参看附图1,本技术一种具有抗干扰能力的双稳态电路,包括电源,光电耦合器、晶体管、电阻、电容、信号输入端和信号输出端,所述的电源分别通过电阻Rl和电阻R2接光电耦合器的4脚和2脚;所述的光电耦合器的3脚第一路通过并联的的电阻R3和电容Cl后接信号输入端,第二路接晶体管VT的基极,第三路通过一电阻R4接电源负极;所述的光电耦合器的I脚分别接信号输出端和晶体管VT的集电极;所述的晶体管VT的发射极通过一电阻R5接电源负极。本技术工作时,在电源电压接通瞬间的初始状态,晶体管VT截止,该电路输出高电位;当信号输入端加上正脉冲时,使晶体管VT的集电极电流增加,光电耦合器的发光二极管发光,光敏三极管的集射间电阻变小,使晶体管VT的基极电路增加,形成正反馈,使VT迅速达到饱和装置,由“ I”变成“O”。当信号输入端输入负脉冲后,使晶体管VT的集电极电流变小,光电耦合器的发光二极管变暗近而使得晶体管VT的基极电流变小,晶体管VT的集电极电流进一步减小,使晶体管VT迅速变成截止状态,发光二极管不发光,光敏三极管截止,使晶体管VT稳定在截止状态,由“O”变成“ I”状态。以上所述,仅是本技术的较佳实施而已,并非对本技术作任何形式上的限制,任何熟悉本专业的技术人员都可能利用上述
技术实现思路
加以变更或修饰为等同变化的等效实施例,在此,凡未脱离本技术的技术方案内容,就依据本技术的技术实 质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具有抗干扰能力的双稳态电路,包括电源,光电耦合器、晶体管、电阻、电容、信号输入端和信号输出端,其特征是:所述的电源分别通过电阻R1和电阻R2接光电耦合器的4脚和2脚;所述的光电耦合器的3脚第一路通过并联的的电阻R3和电容C1后接信号输入端,第二路接晶体管VT的基极,第三路通过一电阻R4接电源负极;所述的光电耦合器的1脚分别接信号输出端和晶体管VT的集电极;所述的晶体管VT的发射极通过一电阻R5接电源负极。

【技术特征摘要】
1.一种具有抗干扰能力的双稳态电路,包括电源,光电稱合器、晶体管、电阻、电容、信号输入端和信号输出端,其特征是所述的电源分别通过电阻Rl和电阻R2接光电耦合器的4脚和2脚;所述的光电耦合器的3脚第一路通过并...

【专利技术属性】
技术研发人员:李威
申请(专利权)人:东莞市天圳电子科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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