一种多晶硅太阳能电池制造技术

本申请公开了一种多晶硅太阳能电池，包括：P型多晶硅片制备的电池本体；设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线；设置在所述细栅线上方的多条平行分布的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直；其中，所述细栅线的线宽为50μm-60μm；所述细栅线的条数不少于70。所述技术方案将细栅线的线宽设置为50μm-60μm，在不减少受光面积的情况下可使得细栅线的条数增加到70以上，缩短了细栅线之间的距离，减小了电流横向传输的距离，进而减小了太阳能电池的电阻。故所述结构的太阳能电池可由硼含量为3×1015atoms/cm3-4.5×1015atoms/cm3的P型多晶硅片制备而成，在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太阳能电池
，更具体地说，涉及一种多晶硅太阳能电池。
技术介绍
随着能源危机的日益凸显，开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题。由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点，研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向。晶体硅太阳能电池，即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品。多晶硅太阳能电池是一种常见的晶体硅太阳能电池，目前光伏行业主要采用掺硼的P型多晶娃片(惨杂砸兀素的多晶娃片)为基底制备多晶娃太阳能电池。所述惨砸的P型多晶硅片经过制绒、扩散制结、边缘刻蚀、去磷硅玻璃等工艺制备成一个电池本体，所述电池本体再经过印刷电极、烧结处理制备为一个太阳能电池。虽然掺硼的多晶硅太阳能电池制作工艺较为简单，光电转化效率较高，但是其存在较大的功率衰减，即所述太阳能电池在光照条件下，电池的输出功率会不断的衰减并最终达到一个稳定功率。现有的多晶硅太阳能电池的功率衰减值在1%左右，其功率衰减较大，从而降低了太阳能电池的实际功率输出。因此，如何降低多晶硅太阳能电池的功率衰减是当前亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种多晶硅太阳能电池，所述多晶硅太阳能电池功率衰减小，能够保证太阳能电池具有较大的功率输出。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案一种多晶硅太阳能电池，所述太阳能电池包括P型多晶硅片制备的电池本体；设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线；设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直；其中，所述细栅线的线宽为50 μ m-60 μ m;所述细栅线的条数不少于70。优选的，上述太阳能电池中，所述细栅线的条数为70-75。优选的，上述太阳能电池中，所述电池本体的受光面的表面方块电阻为70 Ω/sq-75Ω/sq。优选的，上述太阳能电池中，所述电池本体厚度为180 μ m-200 μ m，边长为156mmX 156mm0从上述技术方案可以看出，本技术所提供的太阳能电池包括P型多晶硅片制备的电池本体；设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线；设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直；其中，所述细栅线的线宽为50 μ m-60 μ m ;所述细栅线的条数不少于70。本技术所提供的太阳能电池，将细栅线的线宽设置为50 μ m-60 μ m，可使得细栅线的条数增加到70以上。采用较小的线宽，在电池本体受光面上印刷较多的细栅线，缩短了细栅线之间的距离，减小了细栅线之间电流横向传输的距离，进而减小了太阳能电池的电阻。所以，所述结构的太阳能电池可由硼含量在3X 1015atoms/cm3-4. 5X 1015atoms/cm3的P型多晶硅片制备而成，在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图I为本申请实施例所提供的流程图；图2为本技术实施例提供的一种多晶硅太阳能电池的受光面栅线分布图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有的多晶硅太阳能电池存在较大的功率衰减，从而导致太阳能电池的有效输出功率较小。研究表明，在硼掺杂的多晶硅太阳能电池中，硼会与太阳能电池中的间隙氧原子形成硼氧复合体，所述复合体会复合少子，从而降低少子的寿命，所述复合体越多，少子的寿命降低的幅度越大，电池功率衰减就越明显。一般可通过降低硼元素和/或氧元素的含量来降低太阳能电池中硼氧复合体的含量，以降低太阳能电池的功率衰减。但是，在多晶硅铸锭时，由于铸锭工艺条件的要求，采用的是二氧化硅石英坩埚，这样不可避免的会引入氧元素，即氧元素的含量不易控制。所以只能通过降低硼元素的含量来减少太阳电池中硼氧复合体的含量。虽然简单的减少多晶硅片中硼元素的含量可以降低太阳能电池的功率衰减，但是降低硼元素的掺杂会导致硅片的电阻率增加，降低太阳能电池的光电转换效率。因为硅片中硼元素的多少决定了掺杂后硅片的电阻大小，当硼元素越少其电阻就会越大，从而使得太阳能电池的电阻越大，进而降低了太阳能电池的光电转换效率。因此，现有的多晶硅太阳能电池采用的P型多晶硅片硼元素的含量一般控制在4. 5X IO15Btoms/cm3-l. 5X1016atoms/cm3,以使得太阳能电池具有较小功率衰减的同时具有较大的光电转换效率。然而，当硼元素的含量在4. 5X1015atoms/cm3-l. 5X 1016atoms/cm3范围内时，制备的太阳能电池的功率衰减依然较大，一般在1%左右。专利技术人研究发现，可以通过优化太阳能电池的细栅线数目以及线宽来减小太阳能电池的电阻，使得太阳能电池具有较高的光电转换效率，此时可采用硼含量较低的P型多晶硅片为基底制备电池本体，即通过优化细栅线的数目及线宽来弥补采用硼元素含量较低的P型多晶硅片为基底时导致的效率降低的问题，在保证太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证其转换效率。降低细栅线的线宽可以在电池本体受光面印刷较多的细栅线，且不改变电池本体受光面的有效受光面积。而增加细栅线的条数可减小细栅线之间电流横向传输的距离，进而可减小太阳能电池的电阻，可弥补由于采用低掺杂硼元素P型多晶硅片导致的电池电阻增大问题，从而可使的太阳能电池具有更小的功率衰减，且保证了太阳能电池具有较高的光电转换效率。其中，电池受光面的面积减去主栅线以及细栅线所占面积后是电池的有效受光面积。当主栅线面积一定时，细栅线的面积决定了太阳能电池有效受光面积的大小。基于上述研究的基础上，本技术提供了一种多晶硅太阳能电池，所述太阳能电池包括电池本体；设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线；设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直；其中，所述细栅线的线宽为50 μ m-60 μ m ;所述细栅线的条数不少于70。本技术所提供的太阳能电池，将细栅线的线宽设置为50 μ m-60 μ m，可使得细栅线的条数增加到70以上(包括70条)。所述太阳能电池不改变细栅线总面积(不改变电池本体受光面的有效受光面积)，采用较小线宽的细栅线，可在电池本体受光面上印刷较多的细栅线，缩短了细栅线之间的距离，减小了电流在细栅线之间的横向传输的距离，进而减小了太阳能电池的电阻。所以，所述结构的太阳能电池可由硼含量在3X1015atoms/cm3-4. 5X 1015atoms/cm3的P型多晶娃片制备而成,通过减小细栅线之间的间距来弥补采用低掺杂P型多晶硅片导致的电池电阻增大问题，在保证太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池具有较高的光电转换效率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：P型多晶硅片制备的电池本体；设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线；设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直；其中，所述细栅线的线宽为50μm？60μm；所述细栅线的条数不少于70。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅太阳能电池，其特征在于，包括 P型多晶硅片制备的电池本体； 设置在所述电池本体受光面上的多条相互平行的细栅线； 设置在所述细栅线上方的多条相互平行的主栅线，所述主栅线与所述细栅线垂直； 其中，所述细栅线的线宽为50 μ m-60 μ m ;所述细栅线的条数不少于70。2.根据权利要求I所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴海莲，范锡聪，吴姣姣，
申请(专利权)人：海南英利新能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：