【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及钼铜(Mo-Cu)复合粉末,尤其涉及用来制作用于电子学、电子包装和电器工程用途的元件的Mo-Cu复合粉末,以及所述复合粉末的制备方法。这些用途的例子包括散热片、散热器、电接触件以及焊接电极。
技术介绍
Mo-Cu假合金的特性类似于W-Cu假合金。然而,它们具有重量更轻和可加工性更高的额外优点,这使得它们更适用于微型电子工业。制作由Mo-Cu假合金构成的工件的常见方法之一包括用液态铜渗透进单独烧结的多孔钼坯料中。所渗透的工件具有用作假合金的骨干的固态钼构架。该构件在渗透(以及高温操作)期间通过毛细作用力保持液态铜。该渗透方法的一个缺点在于,它不允许近似于网状或网状部件的制造。因此,就需要许多机加工操作来得到渗透工件的最终形状。形成Mo-Cu工件的其它方法包括采用粉末冶金(P/M)技术例如热压法、爆炸压制法、喷射铸造法、带式成形以及轧制来使钼和铜粉末的混合物固结。和渗透方法不一样,这些方法没有用于烧结钼构架的单独步骤。因此,通过P/M方法制成的工件不是完全缺乏钼构架就是其构架强度降低。建议用高压紧力、再压制再烧结以及在压力下烧结(热压)来提高Mo-M ...
【技术保护点】
一种制备CuMoO↓[4]基复合氧化粉末的方法,包括:(a)形成氧化钼和氧化铜的混合物,氧化钼来自重钼酸铵、偏钼酸铵或二氧化钼;以及(b)在某一温度下烧制该混合物足够的时间,以形成CuMoO↓[4]基复合氧化物。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:LP多尔夫曼,MJ谢陶尔,DL豪克,A斯皮特斯博格,JN丹,
申请(专利权)人:奥斯兰姆施尔凡尼亚公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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