功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明专利技术的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对例如在移动通信中使用的高频信号等进行放大的功率放大器。
技术介绍
专利文献I所公开的功率放大器具备具有多个场效应晶体管(FET)的芯片。为了抑制在芯片上形成闭合环路的振荡(环路振荡)，在芯片内在该闭合环路中并列地形成有电阻体。该电阻体由利用外延层形成的电阻(以下，称为外延电阻)而形成。 专利文献 专利文献I :日本特开2001-148616号公报。非专利文献 非专利文献 I :W. Struble and A. Plazker, “A Rigorous Yet Simple Method ForDetermining Stability of Linear N-port Networks,，’ IEEE GaAsICSymp. Dig.，pp.251-254，1993. 非专利文献 2 :S. Monsj et al. “A Unified Approach for Linear and NonlinearStability Analysis of Microwave Circuits Using Commercially Available Tools,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器，其特征在于，具备：半导体基板，形成有多个晶体管单元；所述多个晶体管单元的漏极电极，形成在所述半导体基板上；漏极焊盘，在所述半导体基板上以与所述漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻，在所述半导体基板以沿着所述漏极焊盘与所述漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极，在所述半导体基板上以经由所述离子注入电阻与所述漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路，形成在所述半导体基板的外部；以及布线，连接所述漏极焊盘和所述输出匹配电路。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三轮真一，塚原良洋，金谷康，小坂尚希，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：