【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型。
技术介绍
随着半导体器件特征尺寸日益减小并进入纳米级别，版图面积不断缩小，对器件引入了应力并影响其电学性能，使MOSFET的电学特性发生变化，进而改变了器件的输出特性。对集成电路设计领域中的设计者而言，在设计时就考虑应力对电路性能的影响已经非常必要。因此，一种具有精确应力模型参数的SPICE模型能够像普通SPICE模型为集成电·路设计工程师预测器件电学特性一样预测不同应力条件下的器件电学特性。通过将应力参数以子电路的形式引入到PSP SPICE模型平台上来建立应力模型，这样可以对设计好的电路进行应力分析和仿真，从而减少芯片面积并降低成本。PSP模型是目前业界对22nm-130nm标准工艺MOSFET进行建模时应用最广泛的模型。PSP模型由宾夕法尼亚大学和飞利浦实验室联合开发，是一个将面向数模和射频电路设计的表面势模型。在2005年，紧凑模型委员会将PSP模型定位第三代MOSFET紧凑模型行业标准，它在模拟和射频电路的建模、作为统计模型建模基础等方面都具有明显的优势。PSPSPI...
【技术保护点】
一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，其特征在于，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数；增加了版图参数和影响系数，所述版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，所述影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与尺寸无关的平带电压Vfb0和零电场下迁移率μ0影响程度的拟合参数；以及提供根据所述版图参量确定晶体管饱和阈值电压Vtsat和饱和漏极电流Idsat的变化特性的方法。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石艳玲，孙立杰，李曦，周卉，任铮，胡少坚，陈寿面，
申请(专利权)人：华东师范大学，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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