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本发明公开了一种应用于MOSFET电学仿真的PSP应力模型，在标准的PSP模型基础上，引入了产生应力的版图参量作为实体参数，增加了版图参数和影响系数，版图参数为表示各版图参量有效值的拟合参数，影响系数为表示各版图参量对PSP模型基本参数中与...该专利属于华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学;上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。