金属硅粉末及其制造方法、球状二氧化硅粉末与树脂组合物技术

本发明专利技术提供在控制铀含量时也同时对磷含量进行控制，用于半导体封装材料的场合可实现更高性能的金属硅粉末。前述金属硅粉末其特征在于按质量基准含有铀元素１０ｐｐｂ以下，磷元素５００ｐｐｍ以下、１ｐｐｍ以上。制造球状二氧化硅粉末用于半导体封装材料的场合，即使是降低铀含量使用的这种要求高性能的用途也可发挥高的性能。具体地，通过将磷控制在规定范围内，制造球状二氧化硅粉末的场合，可提高对构成树脂组合物的有机树脂材料的润湿性，同时可降低树脂组合物的电导率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及适用于半导体封装材料的金属硅粉末及其制造方法， 使用该金属硅粉末制造的球状二氧化硅粉末与使用该球状二氧化硅粉 末的树脂组合物。
技术介绍
半导体封装为了提高热性质等一般使用含有球状二氧化硅粉末的 树脂组合物进行封装(专利文献l )。含有球状二氧化硅粉末的树脂组 合物是使用使球状二氧化硅粉末分散在液态(溶液状态)的有机树脂 材料中的糊对半导体进行填充、封装后进行聚合反应而固化的树脂组 合物。球状二氧化硅粉末中含有规定量以上的铀时，由于该铀放射出的a射线，有可能使封装的半导体发生错误动作。因此尽量除去含有 的铀。尤其是不控制铀元素的浓度(铀浓度)而制造球状二氧化硅粉 末的场合的铀浓度是30ppb左右。为了降低球状二氧化硅粉末中的铀含量，则需降低原料金属硅中 的铀含量。例如，通过使用氢氟酸等溶解除去由于偏析凝聚的铀而降 低铀的含量。特开2000-63630号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，已经知道即使是使用铀含量控制在适宜范围的金属硅粉末 制造半导体封装材料有时也不能发挥充分的性能。根据本专利技术人的研 究，为了从金属硅中除去铀，即使是进行精制也有不能除去的元素，本文档来自技高网...

【技术保护点】
金属硅粉末，其是在火焰中使金属硅粉末与氧反应制造球状二氧化硅粉末时使用的前述金属硅粉末，其特征在于，按质量基准含有铀元素１０ｐｐｂ以下，磷元素５００ｐｐｍ以下，１ｐｐｍ以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：槙优，杨原武，安部赞，
申请(专利权)人：亚都玛科技株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]