【技术实现步骤摘要】
本技术涉及逆变器电源领域,更具体地说涉及一种并联型IGBT模块。
技术介绍
由于IGBT (绝缘栅双极型晶体管)综合了 GTR和MOSFET既具有大电流、低饱和压降,又具有高输入阻抗、驱动简单和开关频率高等优点,特别适合于应用于中高频、中大功率的情况。IGBT作为一种大功率大电流高耐压的半导体器件,在电子电路中它就像一个开关器件,当单个主开关器件的容量不能满足功率要求时,通常用两种方法来提高功率等级一是直接选用更大功率等级的器件;二是采用功率等级较小、市场货源充足、驱动功率低且线路简单的IGBT模块,通过串、并联来满足耐压、耐流等级的要求。由于单纯采用高功率等级IGBT模块将大大提高产品成本和驱动电路的复杂性, 因此采用多管并联提高电流定额以满足工业要求。并联的IGBT自身参数的不一致及电路布局不对称,势必引起器件电流分配不均衡,严重时会使器件失效甚至损坏主电路;并联IGBT之间的功耗及冷却差异会引起工作结温不同,进而也会影响IGBT的动态和静态特性,使电流出现不平衡。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种IGBT模块。为了实现上述目的,本技术 ...
【技术保护点】
一种并联型IGBT模块,包括散热器,偶数只IGBT,其特征在于:所述IGBT对称安装在棱柱形散热器的侧面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王军,刘少德,
申请(专利权)人:四川英杰电气股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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