MLC自RAID闪速数据保护方案制造技术

一种在MLC多电平单元闪存装置中保护基于页的存储数据的二维自RAID方法。该保护方案包括：在每个数据页上保留一个奇偶校验扇区，保留一个奇偶校验页作为列奇偶校验，选择特定数量的页以形成奇偶校验组，把针对存储在奇偶校验组的页中的数据的组奇偶校验值写到奇偶校验页中。奇偶校验扇区代表在第一维度应用RAID技术。组偶校验代表在第二维度应用RAID技术。因为可能由二维RAID数据恢复损坏的数据扇区，所以实现了数据保护。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的专利技术涉及半导体闪存中的数据存储管理，具体地讲，涉及一种在电源中断的情况下防止多电平单元(MLC)存储装置中的数据损坏的数据存储保护方法。
技术介绍
当前的企业级海量存储依赖于硬盘驱动器，硬盘驱动器通常以3. 5”形状系数、15000rpm主轴电机以及73GB和450GB之间的存储容量为特征。机械设计采用具有单个致 动器和在8个表面上移动的8个读/写头的传统的硬盘驱动器。头/介质技术的约束把读/写能力限制于一次仅使用一个有效的头。发送给驱动器的所有数据请求以串行方式处理，在操作之间具有较长延迟，因为致动器把读/写头移动至所需的位置并且介质旋转以使数据位于读/写头下方。在企业海量存储环境中，固态存储装置很有吸引力。对于该环境，闪存是各种固态存储装置之中的很好的候选，因为它没有与硬盘驱动器关联的机械延迟，由此能够实现更高的性能和相应地更低的成本以及电源和空间的更好的使用。闪存是一种形式的非易失性存储器，即EEPR0M(电可擦除可编程只读存储器)。闪存阵列中的存储单元通常包括形成在基底中的具有控制栅以及漏极和源极扩散区域的晶体管。晶体管具有位于控制栅下方的浮动栅，因此形成电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·欧伯瑞士，D·A·普林斯，
申请(专利权)人：闪迪企业知识产权有限责任公司，
类型：
国别省市：