一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构制造技术

本发明专利技术涉及一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，包括单极运行结构和双极运行结构；单极运行结构和双极运行结构均包括谐振环节和整流环节；谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节；谐振升压环节与整流环节连接后和谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接；谐振升压环节、整流环节和谐振降压环节构成直流输电单极运行方式和双极运行方式；谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构、谐振升压串联结构和谐振升压并联结构；谐振降压环节包括单一谐振降压结构、谐振串联降压结构和谐振并联降压结构。本发明专利技术利用谐振环节的串并联技术灵活配置直流输电主电路结构，解决目前新能源并网系统中DC/DC环节造价高及设计困难的问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及直流输电领域的主电路结构，具体涉及一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构。
技术介绍
在能源短缺和环境趋向恶化的今天，大力发展新能源是我国目前的重点发展方向，新能源的并网方式目前主要是应用柔性直流输电技术，由于受自然环境限制，新能源电场的选择往往会远离电负荷集中地，需要对电能进行远距离传输。目前新能源并网方式的典型系统如附图I所示。即多个小型新能源电场通过VSC整流器与直流母线相连，直流母线连接DC/DC升压环节，将直流电压升高后通过直流电缆或传输线将电能传输至电网所在 地，并进行DC/DC降压，降压后通过直流母线与多个VSC逆变器连接，将直流电逆变为交流电后与电网连接。这种新能源并网的方式，需要利用DC/DC环节，而DC/DC环节具有设计复杂，可靠性低、造价昂贵，控制系统复杂等缺点。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，该主电路结构将谐振升压及谐振降压环节应用到新能源并网系统中，并利用谐振环节的串并联技术灵活配置直流输电主电路结构，形成不同电压等级、不同容量的单双极直流输电结构、有效的提高了直流输电结构的灵活性、降低成本、解决了目前新能源并网系统中DC/DC环节造价高及设计困难的问题。本专利技术的目的是采用下述技术方案实现的一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其改进之处在于，所述直流输电主电路结构包括单极运行结构和双极运行结构；所述单极运行结构和双极运行结构包括谐振环节和整流环节；所述谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节和整流环节连接后，与谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接；所述谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构、谐振升压串联结构和谐振升压并联结构；谐振降压环节包括单一谐振降压结构、谐振串联降压结构和谐振并联降压结构。其中，所述单极运行方式中谐振升压环节结构包括单一谐振升压结构I、谐振升压环节串联结构I和谐振升压环节并联结构I ;所述单极运行方式中谐振降压环节结构包括单一谐振降压结构II、谐振降压环节串联结构II和谐振降压环节并联结构II。其中，所述单一谐振升压结构I包括单一谐振升压环节单元I和整流环节I ;单一谐振升压环节单元I包括直流电源DCl、低压大电容ClO、高压小电容Cl I、晶闸管TH、晶闸管T13和谐振电抗器Lll ;所述低压大电容C10、晶闸管TH、谐振电抗器Lll和高压小电容Cll依次连接；所述直流电源DCl并联在低压大电容ClO两端；所述晶闸管T13并联在高压小电容Cll与谐振电抗器Lll两端；整流环节I包括半波整流桥D11、平波电抗器L12、支撑电容器C12和续流二极管D12 ;其中半波整流桥D11、平波电抗器L12与支撑电容器C12依次连接；所述续流二极管D12并联在平波电抗器L12及支撑电容器C12两端。其中，所述谐振升压环节串联结构I包括至少两个单一谐振升压结构I串联；其中两个单一谐振升压结构I分别为单一谐振升压环节单元II连接整流环节II和单一谐振升压环节单元III连接整流环节III。其中，所述单一谐振升压环节单元II包括直流电源DC5、低压大电容C50、高压小电容C51、晶闸管T51、晶闸管T53和谐振电抗器L51 ；所述低压大电容C50、晶闸管T51、谐振电抗器L51和高压小电容C51依次连接；所述直流电源DC5并联在低压大电容C50两端；所述晶闸管T53并联在高压小电容C51与谐振电抗器L51两端；所述整流环节II包括半波整流桥D51、平波电抗器L52、支撑电容器C52和续流二极管D52 ;其中半波整流桥D51、平波电抗器L52与支撑电容器C52依次连接；所述续流二极管D52并联在平波电抗器L52及支撑电容器C52两端。·其中，所述单一谐振升压环节单元111包括直流电源DC7、低压大电容C70、高压小电容C71、晶闸管T71、晶闸管T73、谐振电抗器L71 ；所述低压大电容C70、晶闸管T71、谐振电抗器L71和高压小电容C71依次连接；所述直流电源DC7并联在低压大电容C70两端；所述晶闸管T73并联在高压小电容C71与谐振电抗器L71两端；所述整流环节III包括半波整流桥D71、平波电抗器L72、支撑电容器C72和续流二极管D72 ;其中半波整流桥D71、平波电抗器L72与支撑电容器C72依次连接；所述续流二极管D72并联在平波电抗器L72及支撑电容器C72两端。其中，所述支撑电容器C52和支撑电容器C72串联。其中，所述谐振升压环节并联结构I包括至少两个谐振升压环节单元并联和一个整流环节IV，其中两个谐振升压环节单元分别为谐振升压环节单元IV和谐振升压环节单元Vo其中，所述谐振升压环节单元IV包括直流电源DC9、低压大电容C90、高压小电容C91、晶闸管T91、晶闸管T92和谐振电抗器L91 ；所述低压大电容C90、晶闸管T91、谐振电抗器L91和高压小电容C91依次连接；所述直流电源DC9并联在低压大电容C90两端；所述晶闸管T93并联在高压小电容C91与谐振电抗器L91两端；所述谐振升压环节单元V包括直流电源DCl I、低压大电容Cl 10、高压小电容Cl 11、晶闸管Till、晶闸管T112和谐振电抗器Llll ;所述低压大电容C110、晶闸管Till、谐振电抗器LI 11和高压小电容Cl 11依次连接；所述直流电源DCl I并联在低压大电容Cl 10两端；所述晶闸管T113并联在高压小电容Clll与谐振电抗器Llll两端。其中，所述整流环节IV包括至少两个整流二极管D91、平波电抗器L113、支撑电容器C114和续流二极管D112 ;每一个谐振升压环节并联结构I的谐振升压环节单元均与一个整流二极管D91阳极相连，且整流二极管D91的所有阴极相连后与平波电抗器L113以及支撑电容器C114依次连接；所述续流二极管D112并联在平波电抗器L113及支撑电容器Cl 14两立而ο其中，所述单一谐振降压结构II包括电容C20、高压小电容C21、低压大电容C22、晶闸管T21、晶闸管T22、晶闸管T23、电抗器L21、电抗器L22和负载电阻R21 ;所述电容C20、晶闸管T21和电抗器L21依次连接；所述晶闸管T22、电抗器L22和低压大电容C22依次连接；所述晶闸管T23并联在电容C20与晶闸管T21两端；晶闸管T23、电抗器L21和高压小电容C21依次连接；所述高压小电容C21并联在电容C20、晶闸管T21与电抗器L21两端；所述负载电阻R21并联在低压大电容C22两端。其中，所述谐振降压环节串联结构II包括至少两个单一谐振降压结构II串联；其中两个单一谐振降压结构II分别为谐振降压环节单元I和谐振降压环节单元II。其中，所述谐振降压环节单元I包括电容C60、高压小电容C61、低压大电容C62、晶闸管T61、晶闸管T62、晶闸管T63、电抗器L61、电抗器L62和负载电阻R6 ;所述电容C60、晶闸管T61和电抗器L61依次连接；所述晶闸管T62、电抗器L62和低压大电容C62依次连接；所述晶闸管T63并联在电容C60与晶闸管T61两端；晶闸管T63、电抗器L61和高压小电容C61依次连接；所述高压小电容C61并联在电容C60、晶闸管T61与电抗器L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述直流输电主电路结构包括单极运行结构和双极运行结构；所述单极运行结构和双极运行结构包括谐振环节和整流环节；所述谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节和整流环节连接后，与谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接；所述谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构、谐振升压串联结构和谐振升压并联结构；谐振降压环节包括单一谐振降压结构、谐振串联降压结构和谐振并联降压结构。

【技术特征摘要】
1.一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述直流输电主电路结构包括单极运行结构和双极运行结构；所述单极运行结构和双极运行结构包括谐振环节和整流环节；所述谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节；所述谐振升压环节和整流环节连接后，与谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接； 所述谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构、谐振升压串联结构和谐振升压并联结构；谐振降压环节包括单一谐振降压结构、谐振串联降压结构和谐振并联降压结构。2.如权利要求I所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单极运行方式中谐振升压环节结构包括单一谐振升压结构I、谐振升压环节串联结构I和谐振升压环节并联结构I ;所述单极运行方式中谐振降压环节结构包括单一谐振降压结构II、谐振降压环节串联结构II和谐振降压环节并联结构II。3.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压结构I包括单一谐振升压环节单元I和整流环节I; 单一谐振升压环节单元I包括直流电源DC1、低压大电容CIO、高压小电容CU、晶闸管TH、晶闸管T13和谐振电抗器Lll ;所述低压大电容C10、晶闸管TH、谐振电抗器Lll和高压小电容Cll依次连接；所述直流电源DCl并联在低压大电容ClO两端；所述晶闸管T13并联在高压小电容Cll与谐振电抗器Lll两端； 整流环节I包括半波整流桥D11、平波电抗器L12、支撑电容器C12和续流二极管D12 ；其中半波整流桥DlI、平波电抗器L12与支撑电容器C12依次连接；所述续流二极管D12并联在平波电抗器L12及支撑电容器C12两端。4.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述谐振升压环节串联结构I包括至少两个单一谐振升压结构I串联；其中两个单一谐振升压结构I分别为单一谐振升压环节单元II连接整流环节II和单一谐振升压环节单元III连接整流环节III。5.如权利要求4所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压环节单元II包括直流电源DC5、低压大电容C50、高压小电容C51、晶闸管T51、晶闸管T53和谐振电抗器L51 ;所述低压大电容C50、晶闸管T51、谐振电抗器L51和高压小电容C51依次连接；所述直流电源DC5并联在低压大电容C50两端；所述晶闸管T53并联在高压小电容C51与谐振电抗器L51两端； 所述整流环节II包括半波整流桥D51、平波电抗器L52、支撑电容器C52和续流二极管D52 ;其中半波整流桥D51、平波电抗器L52与支撑电容器C52依次连接；所述续流二极管D52并联在平波电抗器L52及支撑电容器C52两端。6.如权利要求4所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振升压环节单元III包括直流电源DC7、低压大电容C70、高压小电容C71、晶闸管T71、晶闸管T73、谐振电抗器L71 ；所述低压大电容C70、晶闸管T71、谐振电抗器L71和高压小电容C71依次连接；所述直流电源DC7并联在低压大电容C70两端；所述晶闸管T73并联在高压小电容C71与谐振电抗器L71两端； 所述整流环节III包括半波整流桥D71、平波电抗器L72、支撑电容器C72和续流二极管D72 ;其中半波整流桥D71、平波电抗器L72与支撑电容器C72依次连接；所述续流二极管D72并联在平波电抗器L72及支撑电容器C72两端。7.如权利要求5和6中任一项所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述支撑电容器C52和支撑电容器C72串联。8.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述谐振升压环节并联结构I包括至少两个谐振升压环节单元并联和一个整流环节IV，其中两个谐振升压环节单元分别为谐振升压环节单元IV和谐振升压环节单元V。9.如权利要求8所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述谐振升压环节单元IV包括直流电源DC9、低压大电容C90、高压小电容C91、晶闸管T91、晶闸管T92和谐振电抗器L91 ;所述低压大电容C90、晶闸管T91、谐振电抗器L91和高压小电容C91依次连接；所述直流电源DC9并联在低压大电容C90两端；所述晶闸管T93并联在高压小电容C91与谐振电抗器L91两端； 所述谐振升压环节单元V包括直流电源DCl I、低压大电容Cl 10、高压小电容Cl 11、晶闸管Till、晶闸管T112和谐振电抗器Llll ;所述低压大电容C110、晶闸管Till、谐振电抗器LI 11和高压小电容Cl 11依次连接；所述直流电源DCl I并联在低压大电容Cl 10两端；所述晶闸管Tl 13并联在高压小电容Clll与谐振电抗器Llll两端。10.如权利要求8所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述整流环节IV包括至少两个整流二极管D91、平波电抗器L113、支撑电容器C114和续流二极管D112 ;每一个谐振升压环节并联结构I的谐振升压环节单元均与一个整流二极管D91阳极相连，且整流二极管D91的所有阴极相连后与平波电抗器L113以及支撑电容器C114依次连接；所述续流二极管D112并联在平波电抗器L113及支撑电容器C114两端。11.如权利要求2所述的利用谐振环节配置直流输电主电路结构，其特征在于，所述单一谐振降压结构II包括电容C20、高压小电容C21、低压大电容C22、晶闸管T21、晶闸管T22、...

【专利技术属性】
技术研发人员：温家良，王秀环，李跃，周军川，张堃，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：