Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，包括：（1）制备前驱体Co3O4纳米片阵列；（2）利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀，得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列；（3）将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列于0.9V电位下电化学沉积，将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面；反应完成后，清洗、干燥、煅烧，即得。本发明专利技术的制备方法操作简单，不需要特殊设备；本发明专利技术所制得的Co3O4-Au-MnO2纳米片阵列分布均匀，为三维分级异质结构，电化学性能优异，应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于超级电容器材料的制备领域,特别涉及一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法。
技术介绍
众所周知，能源是人类生存与发展的物质基础，目前人类面临着严重的能源危机。研发能量贮存和回收的节能装置，是解决能源问题的有效途径之一。电化学电容器作为一种新型储能器件，具有比传统电容器大得多的能量密度和比电池高得多的功率密度，集能量密度高、功率密度高、循环寿命长、充电时间短和贮存周期长等优点于一身。在汽车、电力、铁路、通讯、国防、消费型电子产品等方面有着巨大的应用价值和市场潜力，引起了国内外科学家的广泛兴趣。目前广泛用于超级电容器的电极材料有多孔炭材料、过渡金属氧化物和导电聚合物(P. Simon et al, Nat. Mater. 2008，7，845.)。在这些材料中，过渡金属氧化物中的四氧化三钴和二氧化锰被认为是最具吸引力的选择，因为它具有价格低廉、环境友好以及优越的电容性能，引起了广大科研工作者的广泛关注。目前各种形貌的四氧化三钴和氧化锰材料都已被制备，而且方法多样，例如化学沉淀法、固相法、溶胶凝胶法等等(R. B. Rakhi et al, N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Co3O4？Au？MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，包括：（1）将泡沫镍在含有DMSO的Co(NO3)2水溶液中于？1V电位下电化学沉积制备Co(OH)2纳米片阵列，然后煅烧，得到前驱体Co3O4纳米片阵列；（2）利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀，形成一层Au颗粒组成的薄膜，得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列；（3）将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列置于含有DMSO的Mn(CH3COO)2和CH3COONH4的混合水溶液中，然后于0.9V电位下电化学沉积，将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面；反应完成后，将得到的产物...

【技术特征摘要】
1.一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，包括 (1)将泡沫镍在含有DMSO的Co(NO3) 2水溶液中于-IV电位下电化学沉积制备Co (OH) 2纳米片阵列，然后煅烧，得到前驱体Co3O4纳米片阵列； (2)利用等离子体溅射法在上述Co3O4纳米片阵列的表面蒸镀，形成一层Au颗粒组成的薄膜，得到Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列； (3)将上述Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列置于含有DMSO的Mn(CH3COO) 2和CH3COONH4的混合水溶液中，然后于O. 9V电位下电化学沉积，将MnO2包覆在Au薄膜覆盖的Co3O4纳米片阵列的表面；反应完成后，将得到的产物清洗后干燥，最后煅烧，即得。2.根据权利要求I所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于步骤(I)中所述的煅烧为在马弗炉中煅烧。3.根据权利要求I所述的一种Co3O4-Au-MnO2三维分级异质纳米片阵列超级电容器材料的制备方法，其特征在于步骤(I)中所述的含有DMSO的Co (NO3) 2水溶液中Co (NO3) 2的浓度为 O. 0...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊青，李文尧，邹儒佳，李高，徐开兵，孙彦刚，王滕，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：