具有成角度的表面的辐射探测器及其制造方法技术

本发明专利技术的名称为：“具有成角度的表面的辐射探测器及其制造方法”。提供具有成角度的壁的辐射探测器及其制造方法。一个辐射探测器模块（70）包括构造成探测辐射的多个传感器瓦（40）。该多个传感器瓦具有（i）限定该多个传感器瓦的顶部表面和底部表面的顶部边和底部边（42,44），（ii）限定该多个传感器瓦的侧部的侧壁边（52），以及（iii）由顶部边和底部边以及侧壁边限定的角（48,50）。辐射探测器模块还具有带有斜角的至少一个斜切表面（82,92,93,95），其中，斜切表面包括顶部边或底部边、侧壁边或角中的至少一个的斜切。

【技术实现步骤摘要】
本文公开的主题一般涉及成像探测器，并且更具体而言，涉及固态辐射探测器。
技术介绍
关于联邦资助的研究和开发的声明 本专利技术在国土安全部的国内核探测部门(DNDO)授予的美国政府合同No. HSHQDC-08-C-00174下由政府支持而完成。美国政府享有本专利技术的一定权利。用于诊断成像系统的探测器，例如用于单光子发射计算机层析成像(SPECT)和计算机层析成像(CT)成像系统的探测器，常常由半导体材料生产而成，除了别的以外，诸如常常被称为CZT的碲化锌镉(CdZnTe )、碲化镉(CdTe)、溴化铊(TlBr)和硅(Si)。半导体探测 器的特征在于比由闪烁材料制成的探测器具有更高能量的分辨率。因此，这样的材料也用于需要在室温下的辐射能谱学的安全应用，以及用来执行放射性同位素的探测和识别。用于成像和能谱学应用两者的这些半导体探测器典型地包括像素化探测器模块的阵列。探测器模块由传感器瓦(sensor tile)形成，传感器瓦具有成锐角的角和边，因为传感器瓦未受到保护并且在一个或多个侧部上没有支承材料，所以角和边易于断裂。因此，这些角和边具有增大的剥落的可能性。例如，在诸如装配和运输期间对瓦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射探测器模块（70），包括：构造成探测辐射的多个传感器瓦（40），所述多个传感器瓦具有（i）限定所述多个传感器瓦的顶部表面和底部表面（83,？84）的顶部边和底部边（42,？44），（ii）限定所述多个传感器瓦的侧部的侧壁边（52），以及（iii）由所述顶部边和所述底部边以及所述侧壁边限定的角（48,？50）；以及具有斜角的至少一个斜切表面（82,？92,？93,？95），其中，所述斜切表面包括顶部边或底部边、所述侧壁边或所述角中的至少一个的斜切。

【技术特征摘要】
2011.07.26 US 13/1912921.一种辐射探测器模块(70)，包括 构造成探测辐射的多个传感器瓦(40)，所述多个传感器瓦具有(i)限定所述多个传感器瓦的顶部表面和底部表面(83，84)的顶部边和底部边(42，44)，(ii)限定所述多个传感器瓦的侧部的侧壁边(52)，以及(iii)由所述顶部边和所述底部边以及所述侧壁边限定的角(48，50);以及 具有斜角的至少一个斜切表面(82，92，93，95)，其中，所述斜切表面包括顶部边或底部边、所述侧壁边或所述角中的至少一个的斜切。2.根据权利要求I所述的辐射探测器模块(70)，其中，所述斜切表面(82)包括沿着所述侧壁边(52)自所述角(48，50)在所述顶部边和所述底部边(42，44)之间延伸的倾斜小面。3.根据权利要求2所述的辐射探测器模块(70)，其进一步包括在相邻的传感器瓦(40)的所述斜切表面(82)之间的间隙(88)，所述间隙自所述传感器瓦的所述顶部表面和所述底部表面(83，84)在所述斜切表面之间延伸。4.根据权利要求I所述的辐射探测器模块(70)，其中，所述多个传感器瓦(40)构造成呈对准的瓦布置，其中，所述传感器瓦的壁是对准的。5.根据权利要求I所述的辐射探测器模块(70)，其中，所述多个传感器瓦(40)构造成呈偏移的瓦布置，其中所述传感器瓦中的至少一些的...

【专利技术属性】
技术研发人员：JE特卡茨克，SR哈亚施，江浩川，张文武，KW安德雷尼，N加格，张锬，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：