铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法技术

本发明专利技术提供一种铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。本发明专利技术提供的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物的再生方法。尤其涉及利用近红外分光仪，实时地同时自动分析液晶显示装置(LCD)或半导体装置等的制造工序中的铜膜蚀刻液组合物成份的浓度变化及蚀刻后溶出的铜离子浓度，不仅能够高效地管理铜膜蚀刻工序，而且能够缩短铜膜蚀刻工序时间及铜膜蚀刻液组合物再生时间的利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法及铜膜蚀刻液组合物再生方法。
技术介绍
在半导体装置中，在基板上形成金属布线的过程，通常由基于溅射法等的金属膜形成工序、基于光刻胶涂敷、曝光及显影的光刻胶图案形成工序及蚀刻工序构成。作为最近倍受瞩目的显示装置的液晶显示(IXD)装置，最广泛使用的是TFT-IXD(thin filmtransistor IXD)装置，而用于设置金属布线的蚀刻工序在该装置在制造中对于表现准确 而鲜明的图像而言极为重要。在用于制造TFT-IXD基板的以往技术的工序中，作为TFT的栅电极和源/漏电极用布线材料，经常使用铝或铝合金层，具体而言，多使用铝-钥合金。但是，为实现TFT-IXD的大型化，减小RC信号延迟是不可或缺的，为此，把作为电阻低且相对廉价的金属的诸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括：(a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少1种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度；(b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及(c)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00751481.一种利用近红外分光仪的铜膜蚀刻工序控制方法，包括 (a)步骤，利用近红外分光仪，同时分析液晶显示装置或半导体装置制造工序中的铜膜蚀刻工序所用的铜膜蚀刻液组合物的至少I种成份的浓度及铜膜蚀刻液组合物中的铜离子浓度； (b)步骤，把所述成份分析结果与基准值进行对比，判别铜膜蚀刻液组合物的寿命；以及 (C)步骤，判别所述铜膜蚀刻液组合物的寿命的结果，在铜膜蚀刻液组合物的寿命耗尽的情况下，更换使用中的铜膜蚀刻液组合物，在铜膜蚀刻液组合物的寿命未耗尽的情况下，把铜膜蚀刻液组合物移送到下一铜膜蚀刻工序。2.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述基准值是在4，OOO 12，OOOcm-1波长中的特定波长下的近红外线吸光度。3.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述铜膜蚀刻液组合物包括酸、酸的盐、铵盐及水。4.根据权利要求3所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述酸成份包括从由盐酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)组成的组中选择的至少I种以上的化合物，所述酸的盐是所述的酸成份的盐。5.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所述近红外分光仪使用具有4，000 12，OOOcnT1波长的光源。6.根据权利要求I所述的铜膜蚀刻工序控制方法，其特征在于 所...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪振燮，朴庆浩，李期范，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：