一步法相控合成SnS、SnS2或SnS/SnS2异质结纳米晶材料的方法技术

本发明专利技术提供一种一步法相控合成SnS、SnS2或SnS/SnS2异质结纳米晶材料的方法，包括：以二乙基二硫代氨基甲酸锡为Sn的有机前驱体，利用在前驱体中改变CS2的添加量来相控合成SnS、SnS2或SnS/SnS2纳米晶；反应物先在120℃条件下恒温半小时，然后将温度升高至280℃~320℃，反应10~30min；反应结束后，离心即可得到相应的硫锡化合物纳米晶。本发明专利技术对设备要求低，操作比较简单，成分比较容易控制，而且可以规模化生产，为硫锡化合物在薄膜太阳能电池和光催化中的应用提供一种更好的制备技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硫锡化合物纳米半导体材料制备领域，特别涉及一种一步法相控合成SnS> SnS2或SnS/SnS2异质结纳米晶材料的方法。
技术介绍
石油、煤炭、天然气等矿物资源的大量使用及其储量的日益枯竭，使的当今世界能源危机和环境问题日益凸显。太阳能由于永不枯竭，绿色无污染，无地域限制等众多优点，被认为是最理想的能源，太阳能电池的研究也受到前所未有的追捧。光催化技术是一种在能源和环境领域有着重要应用前景的绿色技术，能有效治理水污染，净化空气，抗菌防霉坐·寸ο硫锡化合物纳米材料，特别是SnS和SnS2,是一类非常重要的半导体材料，能够用于制备薄膜半导体太阳能电池以及光催化应用治理水中有机污染物。Sn、S两种元素地球含量丰富、对环境无危害，无毒；而且SnS的带隙在I. 12-1. 43eV之间，与太阳光非常匹配，并且具有非常大的光学吸收系数(IO5CnT1)5SnS2的带隙处在2. 18-2. 44eV之间，较宽的带隙使之具有良好的光学和电学特性。因此SnS，SnS2作为具有光电和光催化应用前景的材料，已经引起很多科学家的兴趣。制备硫锡化合物纳米材料的方法有很多，如溶剂热法，化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一步法相控合成SnS、SnS2或SnS/SnS2异质结纳米晶材料的方法，包括：（1）前驱体的合成：将Sn盐溶解在乙醇中，Sn盐与乙醇的配比为1mmol：1~2ml，配成A溶液，将二乙基二硫代氨基甲酸钠溶于乙醇中，二乙基二硫代氨基甲酸钠与乙醇的配比为2mmol：1~2ml，配成B溶液，然后将所配好的A溶液全部滴加到B溶液中，搅拌1~2小时，抽滤，洗涤，得到Sn的有机前驱体，真空干燥备用；（2）SnS、SnS2或SnS/SnS2异质结的相控合成：取上述Sn的有机前驱体，加入油胺，再加入CS2溶液，有机前驱体、油胺、CS2溶液的配比为0.2025g：4mL：0~300μL，将混合物转移至油胺中，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊青，胡向华，陈志钢，蒋林，薛亚芳，刘倩，彭彦玲，宋国胜，李文尧，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：