一种液晶化合物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种液晶化合物及其制备方法与应用，所述的液晶化合物具有如下所示的结构：该类化合物结构、性质稳定，具有互溶性好，抗紫外性能好，电荷保持率高，介电各向异性大的特点。应用于液晶组合物后，能够降低阈值电压，调节体系的Δn数值，并且能够提高或者改善液晶组合物的综合性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶材料领域。具体地说，涉及一种液晶化合物及其制备方法与应用。
技术介绍
1888年,奥地利植物学家Friedrich Reinitzer发现液晶,此后,液晶的研究与应用迅速发展，尤其是1971年W. Helfrich和M. Schadt 一起发现了扭曲向列相液晶场效应之后，使得液晶显示技术得以实现。液晶显示器有无源矩阵和有源矩阵两种驱动方式。有源矩阵液晶显示器根据有源器件的种类可以二端子有源矩阵和三端子有源矩阵两大类。二端有源方式工艺相对 简单，但是图像质量比三端有源的差，目前已近淘汰。三端有源矩阵以薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)为主。TFT-IXD是有源矩阵液晶显示器的典型代表，其研究最活跃、发展最快、应用增长也最迅速。TFT-LCD已经在手机、台式电脑、笔记本电脑、液晶电视和摄像机等显示设备上都得到了良好的应用。目前，TFT-IXD产品技术已经成熟，成功地解决了视角、分辨率、色饱和度和亮度等技术难题，其显示性能已经接近或超过CRT显示器。大尺寸和中小尺寸TFT-LCD显示器在各自的领域已逐渐占据平板显示器的主流地位。但是因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶化合物，其特征在于，所述的液晶化合物具有如式I所示的结构：其中：R表示C1～C12的烷基，其中部分CH2基团各自彼此独立地被？CH=CH？、？C≡C？、？CF=CF？、？CF=CH？、？CH=CF？、？COO？或？O？取代；Z表示单键、？CH2CH2？、？CF2O？、？OCF2？、？CH2O？、？OCH2？、？CH2CF2？、？CF2CH2？、？CH2CHF？、？CHFCH2？、？COO？、？OOC？、？CF=CF？、？CH=CH？或？C≡C？；R’表示H、F或其中一个或多个CH2基团各自彼此独立地被CF3、CFH、CF2、或？O？取代的碳原子数为1~12的烷基或烷氧基；各自独立地表示...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杭德余，梁现丽，孙丽丽，姜天孟，田会强，陈海光，高立龙，班全志，
申请(专利权)人：北京八亿时空液晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：