一种短路保护时低损耗的开关电源装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种短路保护时低损耗的开关电源装置，其包括：MOSFET管的第2引脚连接PWM控制芯片的VFB_STOP端，MOSFET管的第3引脚连接第八电阻R8的一端，MOSFET管的第1引脚连接第八电阻R8的另一端，第三电容C3的一端连接第八电阻R8的一端，第三电容C3的另一端连接第八电阻R8的另一端，第七电阻R7的一端连接第三电容C3的另一端，第七电阻R7的另一端连接第六电阻R6的一端，第六电阻R6的另一端连接VCC端，第七电阻R7的另一端还连接第四电容C4的一端，第四电容C4的另一端连接MOSFET管的第3引脚。本实用新型专利技术提供的开关电源，通过控制打嗝保护的频率，实现电源低损耗保护。输出过流、短路消除后，电源仍能正常输出。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，特别涉及一种具有能在过流、短路保护中实现低损耗、高可靠性的开关电源。
技术介绍
现有技术中，很多开关电源都具有输出过流、输出短路保护功能，保护模式通常为打嗝保护。这类保护线路可以有效地保护输出负载设备，但由于打嗝保护的频率通常不容易控制，导致在保护线路被触发后，整个电源装置的损耗仍旧非常大。在长时间大损耗的保护状态下，电源装置的功率器件可能会因为损耗过大，温度过高而发生失效，进而造成电源装置失效。
技术实现思路
本技术提供一种具有能在过流、短路保护中实现低损耗、高可靠性的开关电源。为了实现上述目的，本技术提供以下技术方案一种短路保护时低损耗的开关电源装置，其包括第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第四电容C4、第三电容C3和MOSFET (金氧半场效晶体管)管，所述MOSFET管的第2引脚连接PWM (脉宽调制)控制芯片的VFB_ST0P端，所述MOSFET管的第3引脚连接第八电阻R8的一端，所述MOSFET管的第I引脚连接所述第八电阻R8的另一端，所述第三电容C3的一端连接第八电阻R8的一端，所述第三电容C3的另一端连接第八电阻R8的另一端，所述第七电阻R7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种短路保护时低损耗的开关电源装置，其特征在于，包括：第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第四电容C4、第三电容C3和MOSFET管，所述MOSFET管的第2引脚连接PWM控制芯片的VFB_STOP端，所述MOSFET管的第3引脚连接第八电阻R8的一端，所述MOSFET管的第1引脚连接所述第八电阻R8的另一端，所述第三电容C3的一端连接第八电阻R8的一端，所述第三电容C3的另一端连接第八电阻R8的另一端，所述第七电阻R7的一端连接所述第三电容C3的另一端，所述第七电阻R7的另一端连接第六电阻R6的一端，所述第六电阻R6的另一端连接VCC端，所述第七电阻R7的另一端还连接第四电容C4的一端...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高旗，
申请(专利权)人：深圳市普德新星电源技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：