【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电源设备
，特别涉及一种在宽电压和高电压输入的无损启动的开关电源装置。
技术介绍
目前，常用的开关电源启动线路是由输入高压经限流电阻给PWM(脉宽调制)控制芯片的Vcc电容充电，进而使芯片启动工作的。当输入电压较高时，限流电阻上的损耗也会非常大。因此，设计一种启动电路，该电路既能承受高压输入，又能在在PWM控制芯片启动后将自身关闭，以消除启动电路损耗就显得特别必要。
技术实现思路
本技术提供一种高压无损启动的开关电源装置，以避免在PWM控制芯片启动后仍有电流从启动线路流过造成损耗。为了实现上述目的，本技术提供以下技术方案一种高压无损启动电源装置，其包括PWM控制芯片，所述PWM控制芯片连接MOSFET管的源极，所述MOSFET管的栅极分别连接第一稳压二极管Zl的正极和第二稳压二极管Z2的正极，所述第一稳压二极管Zl的负极连接所述PWM控制芯片，所述第二稳压二极管Z2的负极接地，所述所述MOSFET管的栅极还连接电阻Rl的一端，所述电阻Rl的另一端连接所述MOSFET管的漏极，且所述述MOSFET管的漏极连接高压输入端。通过实施以上技术方案，具有以下技术效...
【技术保护点】
一种高压无损启动电源装置，其特征在于，包括：PWM控制芯片，所述PWM控制芯片连接MOSFET管的源极，所述MOSFET管的栅极分别连接第一稳压二极管Z1的正极和第二稳压二极管Z2的正极，所述第一稳压二极管Z1的负极连接所述PWM控制芯片，所述第二稳压二极管Z2的负极接地，所述MOSFET管的栅极还连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端连接所述MOSFET管的漏极，且所述述MOSFET管的漏极连接高压电源输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高旗，
申请(专利权)人：深圳市普德新星电源技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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